하이닉스반도체가 올해 3조6,000억원에 달하는 공격적인 투자를 단행한다.
이를 통해 하이닉스는 삼성전자에 이어 세계 2위의 메모리 반도체 업체의 입지를 굳힐 계획이다.
25일 하이닉스는 기업설명회를 갖고 “올해 국내에 2조3,000억원, 중국에 1조3,000억원 등 총 3조6,000억원을 투자한다”고 밝혔다. 이는 지난해 투자규모인 2조2,000억원에서 63.6%나 늘어난 규모다. 또 삼성전자가 올해 메모리ㆍ비메모리 등 반도체 부문 전체 설비투자로 5조6,300억원을 계획하고 있는 점을 감안할 때 메모리 반도체 업체인 하이닉스의 이 같은 투자계획은 삼성전자에 버금가는 수준이다.
하이닉스는 우선 국내에 투자되는 2조3,000억원을 12인치 팹 신규 라인(M10) 투자와 기존 라인의 보완 투자, 연구개발(R&D)에 투입할 계획이다. 또 4월 완공 예정인 중국 우시(無錫) 공장의 8인치, 12인치 팹 장비 등에도 1조3,000억원을 투입한다. 하이닉스는 우시 공장 완공을 계기로 유럽연합(EU)ㆍ일본 등의 상계관세 문제를 해소할 수 있을 것이라며 당초 예상보다 완공시기를 앞당긴 것으로 알려지고 있다.
하이닉스는 올해 투자되는 3조6,000억원을 100% 내부 현금창출로 조달할 예정이다. 실제 하이닉스는 법인세ㆍ감가상각비 차감 전 이익인 EBITDA가 해외법인 포함 기준으로 2조8,390억원에 이르는 만큼 단계적으로 이뤄지는 투자자금을 충분히 조달할 수 있다는 입장이다.
권오철 하이닉스 전략기획실장(전무)은 “낸드플래시 시장이 확대되고 있는 만큼 생산능력을 지속적으로 늘려갈 계획”이라며 설비투자가 계속될 것임을 시사했다.
