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삼성전자는 업계 최초로 45나노 임베디드 플래시 로직 공정과 이를 적용한 스마트카드 IC 테스트 칩 개발에 성공했다고 15일 밝혔다.
임베디드 플래시 로직 공정은 시스템 반도체 회로 안에 전원이 끊겨도 데이터를 기억하는 플래시메모리 회로를 구현한 것으로, 집적도와 전력효율을 높일 수 있어 가전, 모바일, 자동차 등 다양한 애플리케이션을 위한 제품에 적용 가능하다. 스마트카드 IC는 신용카드나 신분증에 들어가는 정보저장장치를 말한다.
삼성전자가 이번에 개발에 성공한 45나노 스마트카드 IC 테스트 칩은 기존 80나노 공정 제품에 비해 소모전력을 25% 절감하면서도 데이터를 읽어오는 시간은 50%나 줄여 생산성을 높인 것이 특징이다. 특히 플래시 메모리 한 셀(Cell)당 최소 100만 번 데이터 갱신이 가능해 업계 최고 수준의 신뢰성을 확보했다.
삼성전자는 설계ㆍ공정의 최적화 작업과 신뢰성 있는 기관의 보안성 테스트를 거쳐 내년 하반기부터 45나노 임베디드 플래시 공정을 적용한 스마트카드IC를 양산할 계획이다.
김태훈 삼성전자 시스템LSI사업부 상무는 “이번에 개발한 45나노 임베디드 플래시 로직 공정을 보안 솔루션과 모바일 제품 등 다양한 제품군에 우선 적용해 종합 모바일 솔루션 공급자로서의 입지를 강화해나가겠다"고 말했다.
