삼성전자가 80나노의 한계를 깨고 70나노급 핵심 D램 공정기술을 잇따라 개발하며 나노 반도체시대의 주도권 강화에 나섰다.
삼성전자는 20일 ‘화학기상증착(CVD)’ 방식을 활용한 70나노급 ‘CVD 알루미늄 공정기술’을 업계 최초로 개발했다고 밝혔다. 이 기술은 알루미늄을 포함한 금속화학물질을 화학반응으로 입자화 시켜 웨이퍼 표면에 증착, ▦전도성막을 형성하고 ▦회로연결용 배선을 만들어 주는 기술로 D램 제조의 핵심인 회로배선공정에 사용된다.
삼성전자는 이 기술을 적용하면 회로에 문제를 일으키는 ‘공동(空洞)현상’을 해결하는 것은 물론 회로배선의 전기적 특성도 대폭 향상시킬 수 있다고 설명했다. 특히 지금까지 회로배선 공정에 필요했던 평탄화 및 세정 등이 필요하지 않아 약 20% 정도의 비용절감 효과도 기대된다. 삼성전자는 이미 ▦금속 캐패시터 기술 ▦3차원 트랜지스터 설계기술 ▦상감기법 설계기술 등 첨단 70나노급 D램 공정기술과 설계기술을 개발한 바 있다.
삼성전자는 이번 공정기술을 적용한 90나노 512메가비트 D램 시제품을 확보했으며, 올해 안에 70나노 D램도 선보일 예정이다.
