◎세계최초 1기가 싱크로너스 DRAM 개발/“양산기술도 박차 세계최고 연구소 만들것”현대전자의 황인석 메모리연구소장(48·공학박사)은 반도체 개발의 세계적인 권위자다.
경기고·서울대 전자공학과를 졸업한뒤 미국 위스콘신대학에서 석·박사 학위를 취득한 황박사는 84년부터 89년초까지 5년간 세계적인 연구기관인 미국 AT&T 및 Bell 연구소에서 멀티미디어의 핵심 부품인 디지탈 신호처리(DSP)를 비롯해 미래 통신산업의 기초 부품인 광대역 부가가치통신망(BISDN) 칩을 개발, 우리나라의 반도체산업에 적용한 장본인이다.
황박사는 4메가·16메가D RAM을 적기에 개발, 반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 조성하는데 기여를 했으며 특히 고집적 메모리제품 기술력의 기반을 닦았다. 또 지난 92년 16메가D RAM 개발에 이어 64메가D RAM을 개발, 1년에 1세대 신제품 개발이라는 획기적 업적을 이룩했다.
특히 2000년대 멀티미디어시대의 핵심부품으로 차세대 메모리 소자인 256메가 싱크로너스 D RAM을 세계최초로 개발한데 이어 최근에는 SOI기술을 이용한 1기가 싱크로너스 D RAM을 개발하는 신기원을 이룩했다. 이 제품은 일본 및 미국의 선진 반도체업계에서도 연구개발 단계에만 있는 SOI웨이퍼를 이용해 세계 최초로 개발했다는 점에서 국내 메모리기술력이 세계정상수준임을 입증 한 것으로 평가되고 있다.
이같은 기술력을 인정받아 황박사는 지난 95년 2월 세계 최고권위의 반도체 회로학회인 국제소자회로학술대회에 초청되는 영예를 안았다.
『2천여명의 연구진들이 반도체 신기술의 개발에 박차를 가해 차차세대 제품개발은 물론 양산기술의 핵심으로 부상하고 있는 마스크메이킹(Mask Making)기술개발에 주력할 계획입니다』
황박사는 『21세기 세계 최고의 메모리연구소로 자리매김하기 위한 연구개발 환경을 조성하고 3백65일 불이 꺼지지 않는 연구소로 가꾸어 나가겠다』고 강조했다.<현대전자 메모리 연구소장/최영규>
