[서울경제TV 보도팀] SK하이닉스가 ‘실리콘관통전극(TSV)’ 기술을 적용한 초고속 메모리(HBM) D램 제품을 개발했습니다. TSV 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 패키지 방식으로 데이터 처리 성능을 높이면서 크기를 줄일 수 있는 것이 특징입니다.
고성능·저전력·고용량으로 1.2V 동작 전압에서 1Gbps(초당 기가비트)의 처리 속도를 낼 수 있습니다. 초당 28GB로 현재 반도체 업계의 최고속 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르고 전력소비는 40%가량 낮춘 것입니다.
