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포스텍(포항공대)은 화학과 최희철 교수팀이 산화작용을 이용해 반도체기판의 실리콘을 10나노미터 이하로 식각(에칭)하는 데 성공했다고 20일 밝혔다. 이번 성과는 '꿈의 신소재'로 불리는 탄소나노튜브가 화학증기증착법을 통해 합성될 때 소량의 산소를 주입시키면 탄소나노튜브와 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 산화물 표면이 열화학반응을 일으키면서 실리콘 산화물이 식각된다는 사실을 발견하고 이 현상을 응용해 4나노미터급의 나노금속선 합성과 실리콘을 10나노미터 이하 크기로 식각하는 데 성공한 것이다. 최 교수팀의 연구결과는 네이처 자매지인 '네이처 나노테크놀로지(Nature Nanotechnology)' 온라인판 2월18일자에 게재됐다.
