산업 산업일반

LED 연구개발에 매년 200억 투입

지경부, 2012년까지 고출력 칩등 집중 지원

정부가 발광다이오드(LED) 연구개발(R&D) 분야에 오는 2012년까지 매년 200억원을 투입한다. 이를 통해 차세대 조명시장을 이끌 것으로 전망되는 LED 기술을 주도하겠다는 구상이다. 지식경제부는 18일 서울 팔레스호텔에서 최경환 장관 주재로 'LED 산업 상생협력 간담회'를 갖고 이 같은 내용의 지원방안을 발표했다. 우선 지경부는 2012년까지 고효율 LED 조명 제품과 고출력 LED 칩, 광학ㆍ방열 부품 등 핵심 기술의 개발을 집중 지원하기로 했다. 이를 위해 LED 조명을 시험하는 LED 조명 실증센터를 구축하고 공공기관에서 저가형 LED 조명 제품 대신 고효율 인증제품을 권장하는 내용의 '공공기관 에너지이용 합리화 추진 지침'을 이달 안에 개정할 예정이다. 아울러 내년 중으로 3∼4개 대학에 LED 조명 융합디자인 석ㆍ박사 과정을 신설하고 미국 에너지부의 LED 조명 시험 성적서를 올해 하반기부터 국내 시험기관에서도 발급받을 수 있도록 할 계획이다. 이 외에도 서울대ㆍ전북대ㆍ경북대ㆍ산업기술대 등 대학에서의 LED 공정 실습교육을 통해 매년 480명 이상의 교육생을 배출하고 내년부터는 영남대 등 4곳에 설치된 LED 융합산업화 지원센터에서 전문인력을 양성할 계획이다. 최 장관은 "올해 안에 산업융합촉진법을 제정해 LED 분야를 지원하고 특히 기준이나 규격이 없어 새로운 융합 신제품이 늦게 시장에 출시되는 일이 없도록 하겠다"고 말했다.

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