이 제품은 첨단 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 기존 최대 용량인 64GB의 두 배에 달하는 최대 용량을 구현했다. TSV는 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지방식으로, 성능은 높이면서 크기는 줄일 수 있는 장점이 있다.
데이터 전송속도 역시 기존 DDR3의 1,333Mbps보다 빠른 2,133Mbps로 끌어올렸으며, 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 동작전압도 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다. SK하이닉스는 이 제품을 내년 상반기부터 본격 양산할 계획이다.
SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB D램 모듈에 이어 128GB 제품까지 세계 최초로 개발함에 따라 서버용 D램 시장에서 기술 주도권을 더욱 공고히 할 것으로 기대하고 있다.
홍성주 SK하이닉스 D램 개발본부장(전무)는 “세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발함으로써 초고용량 서버 시장을 열어가게 됐다”며 “앞으로도 고용량·초고속·저전력 제품을 지속 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해나갈 것”이라고 강조했다.
한편 시장조사기관인 가트너에 따르면 서버용 D램 시장은 모바일기기의 보급 확대에 따라 2018년까지 연평균 37%의 고성장을 이어갈 것으로 전망되고 있다. 아울러 DDR4 D램은 내년부터 시장이 본격화되면서 2016년 이후 시장의 주력 제품이 될 것으로 예상된다.
