미국 인텔이 3차원(3D) 기술을 적용한 차세대 반도체로 세계 반도체 전쟁의 주도권을 장악하겠다고 나서 삼성전자에 위협이 될 것으로 보인다.
인텔은 4일(현지시간) 22나노급 공정과 3D구조를 활용한 3D ‘트라이게이트(Tri-Gate)’ 트랜지스터를 세계 최초로 개발했다며 이를 차세대 반도체인 ‘아이비 브리지(Ivy Bridge)’ 에 활용해 올해 내에 생산하겠다고 밝혔다고 외신들이 전했다.
인텔은 “실리콘 트랜지스터는 50년 전에 나온 후 처음으로 3D를 이용한 트랜지스터”라며 “수십 년간 사용한 평면형(2D) 트랜지스터로부터의 근본적인 도약”이라고 의미를 부여했다.
인텔은 이 트랜지스터의 경우 전력소비 수준이 기존의 절반 미만으로 휴대폰에 유용하다고 밝혔다. 컴퓨터용 중앙처리장치(CPU)시장의 절대강자인 인텔 CPU는 빠른 속도에도 불구하고 전력소모가 많아 휴대폰용 반도체로는 사실상 외면당했는데 이번에 이러한 단점을 보완한 것이다. 월스트리트저널(WSJ)은 인텔이 그동안 부진한 분야였던 스마트폰 등 휴대폰 CPU시장에 본격적으로 뛰어들 수 있게 됐다고 분석했다.
특히 최근 들어 애플이 아이폰용 CPU 수급처를 현재 영국의 ARM에서 인텔로 바꿀 것이라는 전망이 월가를 중심으로 나오고 있다. 이렇게 될 경우 삼성전자도 역풍을 맞을 것으로 예상된다. 인텔은 주력이 비메모리 반도체, 삼성전자는 메모리 반도체로 서로 영역이 다르지만 만약 애플이 아이폰용 CPU를 인텔 제품으로 전환할 경우 현재 삼성전자인 메모리 반도체 공급처도 바꿀 가능성이 크다는 지적이다. 이날 인텔의 발표 소식에 영국증시에서 ARM 주가는 7% 하락했다.
애플은 삼성전자 반도체 부문의 최대 고객이지만 최근 두 회사는 상대방이 특허를 침해했다며 맞고소를 하는 등 관계가 껄끄러운 상태다.
