◎LG반도체,「BST유기금속화학 증착장비」/4년간 32억 투입… 수입대체효과 2,000억LG반도체(대표 구본준)가 2백56메가·기가급 등 차세대 D램 반도체생산에 필수적인 새로운 차원의 유기금속화학증착(MOCVD·Metal Organic Chemical Vapor Deposition)장비를 국산화하는데 성공했다.
LG는 16일 고유전체물질인 바륨스트론튬티타늄(BST)산화물을 사용해 반도체제조의 핵심공정인 커패시티용 유전막을 화학적으로 증착하는 장비를 자체기술로 개발하는데 성공했다고 밝혔다.
BST를 이용한 증착장비는 세계최대메이커인 미국의 어플라이드 머티리얼스나 일본의 NEC 등도 최근에야 실험실수준의 제품을 개발했을 뿐으로, LG는 이 분야에서 세계시장을 선도할 수 있는 교두보를 구축했다고 설명했다.
이 장비는 전공정의 핵심장비를 국산화한 것으로 그동안 부가가치가 상대적으로 적은 후공정에 주력해 왔던 국내반도체장비산업을 한 차원 끌어올렸다는 점에서 높이 평가되고 있다.
반도체장비의 선진화를 위한 「차세대반도체기반기술」(G7프로젝트)사업의 하나로 지난 94년부터 총 32억원을 투입해 개발한 이 장비는 1대 가격이 20억원이 넘는 매우 비싼 장비다. 월간 3만장의 웨이퍼를 가공하는 반도체생산라인에 이 장비가 약 15대 이상 들어가고 있는 점을 감안할 경우 2천억원 이상의 수입대체효과를 거둘 것으로 예상되고 있다.
LG가 이 장비를 개발함으로써 반도체 칩의 크기를 축소하고 제조공정단계도 40% 단축·단순화할 수 있는 공정기술도 개발돼 국내반도체산업의 제조원가절감 및 생산성향상을 실현, 차세대반도체사업의 경쟁력을 제고할 수 있는 기반을 강화할 것으로 기대되고 있다.
LG반도체는 이 장비를 개발하는 과정에서 ▲유전물질을 기화장치에 보내는 딜리버리기술 ▲액체상태의 유전체물질을 기체화하는 기화기술 ▲기체상태의 유전체물질을 산화가스와 혼합하는 혼합기술 등 약 30건의 특허를 국내 및 미국·일본 등에 출원했다.
백광선부사장은 『차세대D램반도체생산용 증착장비를 국산화해 차세대메모리소자양산을 앞당김으로써 시장선점기반을 마련하게 됐다』고 평가하고 『앞으로 이 기술을 토대로 강유전체 및 전극, 배선의 증착공정도 개발해 증착공정의 경쟁우위를 확보해 나갈 방침이다』고 강조했다.<김희중 기자>
