하이닉스반도체가 반도체 제조과정에서 제조원가를 20%가량 절감할 수 있는 기술을 세계 최초로 개발했다.
하이닉스반도체는 7일 관통전극(TSV) 기술을 활용해 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)를 2단으로 쌓는 패키징 기술을 세계 최초로 개발했다고 7일 밝혔다.
이 기술은 반도체의 원판 격인 웨이퍼를 가공해 하나씩 칩을 잘라내지 않고 웨이퍼 상태에서 한 번에 패키지 공정과 테스트를 진행한 뒤 칩을 절단하는 공정이다.
이 방식은 그간 비용은 줄이지만 회로가 있는 칩의 윗부분이 뒤집혀 모듈 기판에 닿으면서 칩을 쌓을 수 없게 하는 문제를 야기했다.
그러나 하이닉스는 이번에 웨이퍼에 직접 구멍을 뚫어 전극을 형성하는 관통전극 기술을 적용해 이 문제를 해결했다.
하이닉스는 이 기술을 이용하면 데이터 전송경로 단축 등을 통해 고성능 제품을 만들 수 있고 현재보다 20%가량 제조원가를 낮출 수 있다고 설명했다.
변광유 패키지 개발그룹장(상무)은 "앞으로 4단ㆍ8단 이상의 적층법도 개발할 계획"이라며 기술개발을 통해 반도체 제조 원가 절감을 지속적으로 추진할 계획이라고 말했다.
