삼성전자와 하이닉스가 차세대 반도체 원천기술 개발을 위해 연합전선을 구축한다.
세계 메모리 반도체 1ㆍ2위 업체의 공동연구는 지난 1994년 64메가 D램 개발 이후 14년 만이다. 또 LG필립스LCD와 삼성전자는 LCD 관련 기업들과 손잡고 장비ㆍ재료 개발에 나선다. 이 같은 국내 IT 대표기업들의 공동 연구개발(R&D)은 일본의 추격을 따돌리거나 일본의 시장 지배를 깨뜨리기 위한 것이다.
24일 산업자원부에 따르면 삼성전자ㆍ하이닉스ㆍ한양대 등은 이날 한양대 종합기술원에서 차세대 테라비트급 비휘발성 메모리 반도체 원천기술 공동개발 협약식을 가졌다.
삼성전자와 하이닉스는 정부가 가지고 있는 8건의 원천기술 특허를 공동 구매하기로 했다. 산자부는 2004년부터 7년 동안 525억원의 예산을 투입, 차세대 테라비트급 비휘발성 메모리 원천기술을 개발하는 연구를 진행해왔다.
산자부의 한 관계자는 “거센 일본의 추격을 뿌리치고 정부와 삼성 그리고 하이닉스가 손잡고 차세대 반도체 시장을 장악해나갈 것”이라고 말했다.
산자부는 또 이날 대면적 디지털 노광기 및 유기발광다이오드(OLED) 핵심재료 개발을 위해 LG필립스LCD(LPL), 삼성전자, 장비·재료기업들의 공동 R&D가 본격화되고 있다고 발표했다. 노광기는 초박막 트랜지스터 액정표시장치(TFT LCD) 생산에 필수적인 핵심공정 장비로 현재 일본 니콘과 캐논 등이 과점하고 있다.
국내 디스플레이 산업은 매출 및 생산량 면에서 세계 1위의 지위를 확보하고 있지만 핵심 기반인 장비·재료 부문에선 일본 기업들이 높은 진입장벽을 구축하며 시장을 지배하고 있다. 우리나라 기업이 1곳도 포함되지 못하고 있는 세계 10대 장비업체 순위에 일본 기업은 7개나 포함돼 있는 상황이다. 산자부는 “최근 국내 대기업들이 지나친 경쟁의식을 버리고 산업 전반의 상생을 위한 공동 R&D에 나서고 있어 향후 성과가 기대된다”고 밝혔다.
