삼성전자, 낸드플래시 양산
4기가 세계최초로… 플래시메모리 전용라인도 가동
이진우 기자 rain@sed.co.kr
4라인에서 첫 양산된 300mm 플래시 메모리 웨이퍼를 들고 기념촬영을 하고 있는 모습 (왼쪽부터 김재욱 사장, 황창규 총괄사장,김지희 사원(14라인 여사원), 지대섭 부사장)
삼성전자가 업계 최초로 플래시 메모리 전용 300㎜ 라인인 14라인을 본격 가동했다.
아울러 세계최초로 70나노 공정을 적용한 4기가비트(Gb) 낸드플래시의 양산에도 돌입했다.
삼성전자는 30일 경기도 기흥사업장에서 황창규 반도체 총괄 사장과 김재욱 제조담당 사장 등 임직원 300여명이 참석한 가운데 14라인 가동 및 70나노 4Gb 낸드플래시 출하 기념식을 개최했다고 밝혔다.
14라인은 90나노 공정을 적용한 2Gb 플래시메모리 4,000장(월단위 기준)을 필두로 양산을 시작했으며 올 연말까지 생산량을 월간 1만5,000장 규모로 확대할 계획이다. 삼성전자는 “300㎜ 웨이퍼는 종전의 200㎜에 비해 칩 생산량이 2.5배 많고, 70나노 공정은 90나노에 비해 원가경쟁력이 65%정도 높다”며 “앞으로 삼성전자의 플래시 메모리 경쟁력을 더욱 높이는 계기가 될 것”이라고 밝혔다.
삼성전자는 특히 종전 생산라인을 활용해 셀 하나에 1개의 데이터를 저장하는 ‘SLC(Single Level Cell)’ 기술을 적용한 70나노 4Gb 낸드플래시를 세계 최초로 양산하기 시작했으며, 오는 6월 말부터는 14라인을 통해 이 제품을 본격 생산할 방침이다.
4Gb 낸드플래시는 데이터를 저장하는 셀(Cell) 면적이 어른 머리카락 단면 평균면적(7,853 제곱마이크로미터)의 31만4,000분의 1에 불과한 0.025 제곱마이크로미터의 미세한 공정기술을 자랑한다.
삼성전자는 이로써 반도체 양산제품의 공정과 메모리 셀 면적 모두에서 ‘세계 최소’ 신기록을 달성했으며, 플래시 메모리 분야에서 1~2Gb에 이어 이번 4Gb 제품까지 3세대 연속으로 세계 최초로 양산에 성공하는 기술력을 선보였다.
삼성전자 관계자는 “모바일기기의 저장에 가장 적합한 낸드플래시는 휴대폰과 MP3플레이어, 디지털 카메라, 메모리카드, 플래시메모리 USB, 게임기 등 다양한 제품으로 시장이 급성장하고 있다”며 “이번 14라인 가동으로 소비자들이 요구하는 고성능 제품의 확장에 더욱 가속도가 붙을 전망”이라고 말했다.
입력시간 : 2005/05/30 17:38
