삼성전자는 12일 차세대 메모리로 주목 받고 있는 R램의 쓰기ㆍ지우기의 내구성과 속도 등을 대폭 개선시킬 수 있는 기술 개발에 성공했다고 밝혔다. 이번에 개발한 신기술은 쓰기ㆍ지우기 동작을 기존 플래시 메모리의 100만배에 이르는 1조번을 반복할 수 있는 우수한 내구성을 확보했다고 회사측은 설명했다. 삼성전자의 이번 연구 결과는 영국에서 발간하는 세계적인 학술지 ‘네이처 머티리얼즈’ 인터넷판에 게재됐다.
