하이닉스반도체는 차세대 이동통신단말기용 16메가ㆍ32메가 S램을 개발, 전세계 이동통신 단말기업체에 상용샘플을 공급하기 시작했다고 29일 밝혔다.이 제품은 일반 S램 구조와는 달리 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터(축전기)로 구성되는 D램 셀(Cell) 구조를 채용한 '수도(Pseudo) S램'로 회로선폭 0.18㎛(1㎛=100만분의 1ｍ)의 미세회로 공정기술을 적용했다.
또 기존 이동통신 단말기용 S램과 호환될 뿐만 아니라 업계 최초로 기존 저전력 S램과도 완벽한 호환성을 갖도록 설계돼 있다.
동작전압 2.5V, 3.0V, 2.3~3.6V의 다양한 제품군을 갖추고 있으며 70ns(1ns=10억분의 1초)와 85ns의 고속으로 데이터 처리가 가능해 고속화와 저전력화를 요구하는 차세대 이동통신단말기에 적합하다고 하이닉스는 설명했다.
제품크기도 업계에서 가장 작은 7㎜?8㎜의 48볼 FBGA 패키지 기술을 적용, 실장면적을 최소화해 시장의 소형화 요구에 부응했다고 하이닉스는 덧붙였다.
이 회사는 내년 1ㆍ4분기부터 본격 양산에 들어가 내년 한해 1억달러의 매출을 올릴 것으로 기대하고 있다.
조영주기자
