삼성전자(대표 윤종용)는 플래시 메모리와 비메모리반도체를 복합화한 MFL(플래시 메모리 복합칩) 개발에 성공했다고 21일 밝혔다.이 제품은 동작전압 3.3V, 동작속도 50나노초(1 나노초:1억분의 1초)의 저소비 전력과 고속화를 실현한 제품으로 전원이 꺼져도 정보가 지워지지 않는 것이 특징이다.
또 부가기능 추가 때 반도체 칩 내부의 소프트웨어만 변경하면 응용제품에 실장이 가능해 이동전화기나 PCS폰, PDA(개인휴대용 단말기), 유무선 자동응답 전화기 등 정보통신제품에 널리 사용할 수 있다고 삼성은 설명했다.
삼성은 특히 이 제품에 이미 개발한 회로선폭 0.18 마이크로 미터(1 마이크로 미터:100만분의 1미터) 가공기술을 적용해 비메모리 사업을 확대할 예정이다.
삼성은 지난 96년 D램과 비메모리를 결합한 MDL(D램 메모리 복합칩), 비메모리에 S램을 합친 MSL(S램 메모리 복합칩)을 개발한데 이어 이번에 MFL제품을 국산화함에 따라 차세대 반도체 핵심기술인 시스템 온 칩사업을 선점할 수 있는 기반을 마련했다.
MFL시장은 이동통신기기, 네트워크 제품, 셋톱박스, 멀티미디어 기기를 중심으로 급속히 확산되고 있어 2000년 20억달러, 2001년 40억달러의 시장이 형성될 것으로 예상된다.【고진갑 기자】
