■ 삼성 '2기가 플래시' 試생산인텔보다 최소 6개월이상 앞서 생산
삼성전자가 세계 최초로 나노기술을 이용한 메모리 제품 상용화를 선언한 것은 반도체 사업 '리스트럭처링(구조개혁)'의 시작에 불과하다.
삼성은 경쟁사보다 최소 6개월 앞선 최첨단 제품의 양산과 다양화하는 메모리 제품을 앞세워 반도체 사업의 제2도약을 이뤄낸다는 복안이다.
겉으로는 표현하지 않지만 2.5배 가량 매출이 앞서 있는 인텔도 10년 안에 추월할 수 있다는 자신감이 묻어 있다.
▶ 메모리 사업구조의 변신
지난 8월 현재 삼성전자의 메모리 부문 중 D램 비중은 SD램을 포함해 79%. 반면 S램과 플래시메모리는 각각 15%와 16%에 불과하다. 오는 2005년 예상하는 메모리 사업구조는 판이하다.
D램과 S램은 55%와 10%로 대폭 줄어드는 반면 플래시메모리는 35%까지 급성장할 것으로 황창규 메모리 사장은 내다봤다.
D램 구조도 8월 말 ▲ DDR(그래픽 포함) 51% ▲ 램버스 12% 등에서 2005년에는 ▲ DDR 40% ▲ DDRⅡ 10% ▲ 모바일D램 10% ▲ 싱크 15% ▲ 램버스 5% ▲ 그래픽 10% 등으로 고급화한다.
사업구조 변화를 통해 노리는 것은 당연히 세계 반도체 정상이다. 삼성의 '중장기 비전'을 보면 올해 메모리사업의 매출목표는 71억달러로 세계 시장점유율 24%. 추세대로라면 올해 삼성전자는 세계 메모리시장에서 10년 연속 1위를 이어갈 게 확실하다.
하지만 플래시메모리만 따지면 세계 8위 수준이다. 삼성은 이를 2005년 매출 140억달러, 시장점유율 31%까지 끌어올린다는 계획이다.
특히 플래시는 1위로 올라선다는 야심찬 계획을 세웠다. 여세를 몰아 2010년에는 매출 250억달러(시장점유율 35%)로 확대하고 특히 플래시메모리는 시장의 독보적 1위를 차지한다는 복안이다.
나노기술의 양산은 이 같은 야심찬 계획의 첫 분기점이다. 세계 최대 반도체 기업인 인텔과 비교하면 극명하게 드러난다.
인텔은 3월 나노급 모듈 공정기술을 개발했지만 양산은 내년 말에나 가능할 것으로 보인다.
반면 삼성은 지난해 나노급 기술을 개발하고도 발표하지 않았다. 그러나 이날 전격적으로 내년 초 양산하겠다고 밝혔다.
인텔은 내년 말에나 양산이 가능할 것으로 보인다. 최첨단 기술의 양산에서 최소 6개월 이상 인텔을 앞지른 셈이다.
▶ '메모리 신성장론' 현실화
삼성전자가 반도체 개혁을 선언한 또 다른 이유는 '황의 법칙'으로 불리는 '메모리 신성장론'이다. 황 사장은 '기술 발전으로 18개월마다 칩의 성능은 2배로 증가하고 가격은 오르지 않는다'는 이른바 '무어의 법칙'을 정면으로 반박한 인물.
그는 "새로운 IT제품들이 시장에 나와 메모리는 폭발적 성장을 이어갈 것"이라고 주장했다.
그의 주장을 뒷받침하는 대표적 제품이 바로 플래시메모리다. 황 사장은 이중 'NAND형(데이터 저장용) 플래시 메모리'를 성장의 주역으로 보고 있다.
전원이 꺼져도 데이터를 그대로 보존하는 플래시메모리는 휴대폰ㆍPDAㆍUSB드라이브 등에 주로 쓰인다. 올해 세계 시장 규모는 100억달러 수준으로 D램 시장의 3분의2 수준이다. 머지않아 D램을 따라잡을 것으로 보인다.
플래시메모리 중 읽는 속도가 빨라 휴대폰 등 통신기기에 주로 사용되는 NOR형이 80억달러, 기록하는 속도가 빨라 동영상 기록에 유리한 NAND형이 약 20억달러 수준이다.
NOR형은 인텔 등이 주로 생산하며 NAND형은 삼성전자와 도시바와 양분하고 있다. 삼성은 NAND형의 급성장에 주목하고 있다.
평균 60%씩 성장, 2006년에는 NOR형을 앞지를 것으로 보고 있다. 삼성전자가 2기가급 플래시메모리의 첫 시생산 성공에 흥분하는 것도 이런 폭발적 성장을 자신하기 때문이다.
김영기기자
