삼성 "낸드플래시도 DDR로 승부"

삼성전자가 D램에서 경쟁사를 압도하는 데 결정적 역할을 했던 DDR 기술을 낸드플래시에도 적용한다. 'DDR'는 D램에서 사용되는 고속 데이터 전송방식으로 한꺼번에 두 가지 전기적 신호를 보낼 수 있는 반도체 고유의 기술을 뜻한다. 삼성전자는 1일 DDR 기술을 세계 최초로 적용해 읽기 속도를 세 배 이상 향상시킨 32Gb 낸드플래시 양산에 돌입했다고 밝혔다. 최근 삼성이 D램에서 업계를 평정한 DDR 기술력을 낸드플래시에도 적용해 비슷한 독주체제를 굳히려는 전략으로 해석된다. 삼성전자는 최근 DDR3 기술을 적용한 D램으로 주력 제품을 바꾸면서 하이닉스반도체 등과 함께 메모리 독식 구조를 만들어가고 있다. 일본의 엘피다나 미국의 마이크론, 또 대만 업체들은 DDR3 양산 기술을 확보하지 못해 한국의 이 기술은 '치킨게임'에 종지부를 찍는 결정적 기술로 통한다. 삼성전자의 한 관계자는 "D램에서 DDR 기술로 후발주자들을 압도하는 것처럼 낸드플래시에서도 기술력을 선도할 것"이라며 "DDR 낸드는 소량생산 목적이 아니라 삼성의 주력제품화 대상인 만큼 DDR3 D램의 경우처럼 낸드플래시의 대세도 DDR 쪽으로 쏠릴 가능성이 높다"고 전망했다. 신제품은 또 30나노급 미세공정을 적용해 업계 최고 수준의 생산효율 또한 확보했다. 한편 삼성전자는 20나노급 차세대 제품을 준비하고 있으며 이 제품에도 DDR 기술을 적용할 것으로 알려져 주목된다. 20나노급 낸드플래시는 회로 두께의 한계로 불리며 삼성전자도 최근까지 개발의 성공을 장담하지 못하던 꿈의 공정이다. 업계의 한 관계자는 "낸드에 DDR 기술을 적용하면서 속도를 획기적으로 높인 데 이어 20나노급 제품이 양산되면 삼성전자의 독주체제가 더욱 굳어질 것"이라고 말했다.