이 자리에서 주성은 최근 반도체 산업의 핵심 이슈인 미세 공정화에 맞추면서도 생산성 면에서도 탁월한 차세대 제품들을 대거 공개한다.
특히, 공간분할 플라즈마 화학증착기(Space Divided Plasma Chemical Vapor Deposition, SDP CVD) 장비는 기존 장비로는 400도 이하의 낮은 온도에서 고품질의 막을 제공할 수 없었던 단점을 극복한 세계 최초의 신개념 장비로, 플라즈마화학증착(PECVD), 저압화학기상증착(LPCVD), 원자층증착(ALD) 모든 공정을 한번에 대체하는 솔루션을 제공하며 세계 시장을 공략하고 있다.
주성이 개발한 SDPCVD 장비는 세계 최초로 공간분할증착 기술에 신개념 Plasma 기술을 결합하여 플라즈마로 인한 기판 손상 (Plasma Damage) 없이 400도 이하의 저온에서 기존 LPCVD (저압화학기상증착, 700도 이상)에서 증착한 박막보다 훨씬 우수하고, 어떠한 결합 없이 막질을 균일하게 형성할 수 있는 꿈의 반도체 증착장비로 향후 반도체 장비 시장의 판도를 획기적으로 바꿀 수 있는 장비로 평가되고 있다.
특히 20nm 이하 미세 반도체 공정에서 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 금속막 및 High-K 공정의 모든 CVD 공정 장비를 대체할 수 있다.
또한 차세대 메모리 반도체라 불리는 M램 공정에서 가장 중요한 부분인 마그네틱층 패터닝을 위한 플라즈마 식각 장비 Zenith를 선보였다. M램은 플래시메모리의 비휘발성 저장능력과 D램의 빠른 속도를 결합하며 현재 차세대 메모리 반도체로 큰 주목을 받고 있다.
이 장비는 기존 식각장비로는 제어가 어려운 MTJ(플래티넘, 망간, 코발트)등의 마그네틱층을 제거하는 핵심 공정장비로, 다양한 화합물 신소재를 사용하는 차세대 반도체 성격상 다양한 공정과 기술에 대한 경험과 노하우를 필요로 한다.
이와 함께 반도체 소자가 고집적화 될수록 필요성이 증가하는 SEG(선택적 에피텍셜층 성장장비)도 출품했다. 이 장비는 UHV(Ultra High Vacuum)를 이용한 한 단계 진화한 독창적인 선택적 에피텍셜층 성장 장비로 UHV를 이용한 저온 공정(In-situ Wafer Pre-clean & Growth)이 가능하며, 차세대 반도체 공정인인 Pure Ge에 있어 매우 우수한 공정특성을 나타내고 있다.
주성 담당자는 “올해 선보이는 차세대 장비는 모두 기존 기업들이 보유하지 못한 세계 최초의 신개념 기술들이다”라며 “반도체 미세공정 속도 전에서 기술 주도권을 확보한 만큼 신규제품의 마케팅 강화를 통해 사업의 실질적 성장과 이익창출을 이루어 낼 것이다”고 말했다.
