하이닉스반도체가 차세대 메모리 STT램의 기술개발 업체인 미국 그란디스와 STT램 기술에 대한 라이선스 및 공동 개발 계약을 체결했다.
하이닉스는 2일 “업계 최초로 그란디스로부터 STT램에 대한 기술 라이선스를 취득했으며 향후 양사가 연구인력을 공동 투입해 제품 개발에 협력하기로 했다”고 밝혔다. 하이닉스는 이번 계약으로 STT램 개발 분야를 선도하고 있는 그란디스와 손을 잡음으로써 차세대 메모리 기술의 조기 확보 및 향후 시장 선점 가능성을 한층 높인 것으로 보인다.
하이닉스 측은 “P램 및 Z램 등과 함께 다양한 차세대 메모리 기술의 라인업을 구축함에 따라 향후 시장 주도 제품의 변화에도 한층 더 유연한 대응을 할 수 있게 됐다”고 설명했다.
STT램은 자기적 성질을 이용한 차세대 메모리로서 D램과 낸드플래시의 장점을 고루 갖춘 비휘발성 메모리로 무제한에 가까운 반복 기록 및 재생이 가능할 뿐 아니라 D램 이상의 고용량을 구현할 수 있는 것이 특징이다.
특히 기존 메모리 제품의 기술적ㆍ물리적 한계로 여겨지는 40나노미터 이하에서도 집적이 가능한 최적의 차세대 메모리로 꼽혀 중장기적으로 D램까지도 대체할 수 있을 것으로 전망된다. 오는 2012년이면 STT램 시장이 본격적으로 열릴 것으로 보인다.
