'高유전막 공정' 세계최초로…경쟁사보다 2년앞서삼성전자가 세계 최초로 70나노급 반도체 공정을 개발했다.
삼성전자는 회로선폭 70나노(1나노는 10억분의 1m)의 초미세 공정에서 전자의 이동을 완벽히 차단해 최적의 반도체 성능을 구현할 수 있는 '고유전막 (High-k Film) 공정'을 업계 최초로 개발했다고 4일 발표했다.
이번에 삼성전자가 개발한 기술은 원자층 증착기술(ALD)을 적용해 반도체 회로사이에 하프늄옥사이드(HfO2)-알루미늄옥사이드(AL2O3)의 신소재로 새로운 층상구조의 유전막을 형성하는 공정기술이다.
이에 따라 기존 유전막 공정기술에 비해 정전용량 향상과 공정수를 대폭 감축할 수 있으며, 500℃ 이하에서 진행되는 저온화 공정이어서 복합칩(SOC) 제품에 적합하다고 삼성전자는 설명했다.
특히 기존 양산라인의 유전막 장비를 그대로 적용할 수 있어 시설투자를 크게 절감할 수 있는 것도 장점이라고 덧붙였다.
삼성전자는 나노급 반도체의 상용화가 2004년부터 본격화될 것으로 전망됨에 따라 이번에 개발한 신공정 기술을 올 하반기부터 90나노급 공정에, 2004년부터는 70나노급 공정에 적용할 계획이다.
삼성전자는 반도체 칩 사이즈를 줄이는 미세공정기술의 발전에 따라 기존 소재의 반도체 유전막으로는 반도체 기능구현에 한계가 있었으나, 이번 신소재의 고유전막 공정은 그 한계 극복의 해법을 제시한 것에 의미가 있다고 설명했다.
삼성전자는 이번 공정기술을 미국ㆍ일본ㆍ타이완 등에서 특허출원을 마쳤으며, 이달말 하와이에서 열리는 국제 반도체 학술회의인 'VLSI Technology 심포지엄'에서 관련 논문 2편도 발표할 예정이다.
삼성전자 관계자는 "이번 70나노급 반도체 공정기술 개발은 경쟁사에 비해 2년 정도 앞선 것으로 자체 분석하고 있다"며 "나노기술을 적용한 반도체 생산에서도 삼성전자가 세계 1위 자리를 먼저 차지할 수 있게 됐다"고 말했다.
김영기기자
