하이닉스 "경쟁력 강화"

4년반만에 적자를 낸 하이닉스반도체가 미세공정 조기전환과 제품 차별화로 경쟁력 확보에 나선다. 하이닉스는 올 2ㆍ4분기 48나노미터(㎚) 낸드플래시, 3ㆍ4분기 54㎚ D램을 양산하고 고부가의 모바일 D램 생산을 늘리겠다고 밝혔다. 1일 하이닉스는 “주력제품인 D램과 낸드 플래시 가격 급락으로 인해 지난해 4ㆍ4분기에 해외법인포함 연결기준으로 3,180억원의 영업적자를 기록했다”고 밝혔다. 매출액은 1조8,500억원으로 3ㆍ4분기에 비해 24% 감소했다. 영업이익률도 3ㆍ4분기 10%에서 4ㆍ4분기 –17%로 27%포인트나 급락했다. 하이닉스는 “계절적 수요에 따른 매모리 출하량 증가에도 불구하고 지속적인 공급과잉으로 가격이 급락한 것이 매출이 줄고 적자를 낸 원인”이라고 설명했다. D램 시장의 경우 고용량의 2GB(기가바이트) 제품의 채용이 늘어나고 수요도 늘어났지만 공급 과잉을 해소하지 못했다는 주장이다. 낸드플래시 역시 수요에 비해 업체들의 생산능력 확대 및 공정전환으로 공급이 늘어났다고 덧붙였다. 공급과잉으로 하이닉스의 4ㆍ4분기 D램 평균판매가격은 35%, 낸드플래시의 경우 약 34%씩 떨어졌다. 반면 D램 출하량은 전분기 대비 약 7%, 낸드플래시 출하량은 약 43% 늘어났다. 하이닉스의 한 관계자는 “지난해 D램 66㎚ 공정전환, 낸드플래시 60㎚ 공정전환과정에서 원하는 만큼 성과를 내지 못했지만 발생했던 문제가 다 해결됐다”고 밝혔다. 하이닉스는 올해 설비투자액으로 3조6,000억원을 투입하겠다고 밝혔다. 당초 4조원 정도를 예상했지만 지난해 4ㆍ4분기에 4,000억원을 가량을 조기 집행했다고 덧붙였다. 하이닉스는 투자금액 대부분을 기존설비의 업그레이드와 300㎜(12인치) 라인 생산능력 확대에 투자할 계획이다. 우선 60㎚급 공정의 안정화를 바탕으로 2ㆍ4분기초에 세계 최초로 48㎚ 공정을 적용한 낸드플래시 양산에 들어간다. 올 연말에는 41㎚ 공정을 적용한 낸드플래시도 선보일 계획이다. 삼성전자와 도시바에 비해 60㎚급 공정전환에서 뒤처졌지만 40㎚급 공정을 한발 앞선 적용, 그동안의 격차를 만회하겠다는 전략이다. D램은 이르면 2ㆍ4분기말, 늦어도 3ㆍ4분기부터 54㎚ 공정을 적용한 제품을 양산할 계획이다. 상대적으로 시장점유율이 떨어지는 모바일 D램에 대한 투자도 늘려, 올해 제품 라인업을 다양화하고 품질을 높여가겠다는 전략이다. 김정수 IR담당 상무는 “청주에 건설중인 낸드플래시 전용 M11의 경우 3ㆍ4분기부터 제품 생산에 들어가 올해말에는 월 2만~3만 웨이퍼 처리가 가능할 것”이라며 “D램 여건이 좋으면 중국 우시의 C2라인에 대한 투자를 조기 집행하는 방안도 검토하고 있다”고 설명했다.