하이닉스 40나노급 DDR3 D램 양산 돌입

하이닉스반도체가 40나노급 DDR3 D램(사진) 양산에 돌입했다. 이는 삼성전자에 이어 두번째로 한국 업체들의 D램 시장 독주가 계속될 것으로 전망된다. 하이닉스는 20일 44나노 2Gb DDR3 D램에 대해 인텔 인증을 확보하고 이달 중 양산을 시작한다고 밝혔다. 이 제품은 40나노급 미세공정을 적용해 기존 50나노급 대비 생산성이 60% 향상돼 생산 원가 절감폭이 커져 가격경쟁력이 높아진다. 또한 1.35V의 저전압과 1,333Mbps의 데이터 전송이 가능해 '저전력 고기능' 반도체의 대표 제품으로 꼽힌다. 당초 하이닉스는 1Gb DDR3에 주력해왔지만 시장 변화에 따라 이 제품의 비중을 늘릴 계획이다. 회사의 한 관계자는 "현재 주력인 1Gb 제품에서 고성능 서버를 중심으로 2Gb 제품으로 빠르게 전환되고 있다"며 "내년 말까지 전체 D램 생산량의 70%까지 DDR3 비중을 확대하고 이 가운데 2Gb 비중을 40%까지 늘릴 것"이라고 말했다. 이에 따라 삼성전자와 하이닉스의 D램 시장 주도권은 한층 강해질 것으로 보인다. 삼성전자 또한 40나노급 2Gb DDR3 D램을 지난 7월부터 양산해왔다. 최근 주력 제품으로 급부상한 DDR3는 사실상 삼성과 하이닉스밖에 양산능력을 갖추지 못한데다 40나노급 양산이 이어지면 일본과 대만 등 해외 경쟁업체들은 아예 경쟁할 엄두를 내지 못하는 상황으로 이어질 것이다. 업계의 한 관계자는 "DDR3를 앞세운 삼성과 하이닉스가 내년까지 D램 시장을 독식할 가능성이 높다"며 "DDR3 비중 확대는 국내 업계에 호재가 될 것"이라고 말했다.