삼성전자가 세계 반도체 업계 최초로 20나노급 공정 낸드플래시 양산에 들어갔다.
19일 삼성전자는 20나노급 공정 32Gb 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시를 지난주 말부터 양산하기 시작했다고 밝혔다.
20나노급 MLC 낸드플래시는 기존 30나노급 MLC보다 생산성이 50%가량 높다.
삼성전자는 이와 함께 20나노급 MLC 전용 컨트롤러(낸드플래시 구동장치)를 함께 개발해 제품 성능이 제대로 구현될 수 있도록 했다.
삼성은 이번에 양산에 들어간 20나노급 MLC 낸드플래시를 적용한 첫 제품으로 디지털카메라 등 휴대용 디지털 장치에 쓰이는 메모리카드인 SD카드를 출시했다. 20나노급 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재한 8GB 이상 용량의 SD카드의 경우 현존 메모리카드 가운데 가장 빠른 쓰기 속도인 초당 10MB 이상을 구현, '클래스 10' 규격을 만족한다.
삼성전자는 앞으로 20나노급 낸드의 비중을 지속적으로 늘려 4GB부터 64GB 용량까지 제품군을 다양화하면서 고성능 프리미엄 메모리카드 시장을 적극 공략할 방침이다.
또 스마트폰과 같은 모바일기기에 들어가는 내장 메모리인 'moviNAND™'에도 20나노급 MLC 낸드플래시를 순차적으로 적용해 기존 30나노급 낸드플래시 시장을 적극 전환해나가기로 했다.
조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 "올해 20나노급 낸드플래시로 스마트폰용 대용량, 고성능 프리미엄 내장 스토리지 시장은 물론 고성능 메모리카드 시장을 선점해 플래시메모리사업 경쟁력을 높일 계획"이라고 말했다.
