미래부는 박진홍 성균관대 전자전기기공학부 교수와 동대학원의 같은 과 재학생인 심재우씨 등이 각각 교신저자 및 제 1저자의 자격으로 이 같은 3진법 소자·회로 기술을 담은 논문을 최근 국제 학술지 네이처 커뮤니케이션즈를 통해 발표했다고 24일 소개했다. 3진법은 각종 데이터를 0, 1, 2나 0, ±1로 표현한다.
박 교수팀의 기술은 우선 흑린과 이황화레늄(ReS₂)을 수직으로 쌓아 부성미분저항 특성을 보이는 2차원 반도체 전자소자를 만었다. 부성미분저항이란 특정 전압구간에서 전압이 상승해도 전류 흐름은 도리어 감소하는 상태를 뜻한다. 연구팀은 이 소자와 p형 트랜지스터를 활용함으로써 3진법 방식의 회로를 구현할 수 있었다. 3진법은 데이터를 0, ±1이나 0, 1, 2로 표현한다. 예를 들어 십진수 숫자인 128를 2진법으로 표현하려면 8비트의 데이터가 필요하지만 3진법적용시엔 5트리트(trit·3진법의 단위)면 가능해 필요한 소자의 수가 줄고, 보다 빨리 데이터로 처리할 수 있다는 것이다. 박 교수는 이번 기술에 대해 “빅데이터 정보처리가 필요한 프로그램이나 사물인터넷(IoT) 기기에 필요한 초절전형 소자와 회로의 초석이 될 것”이라고 기대했다.
