메모리 반도체 날개단 SK하이닉스, 올 투자 9.6조로 늘린다

SK하이닉스가 올해 D램 및 낸드 플래시 관련 시설투자에 총 9조 6,000억원을 투입하기로 했다. 이는 올초 당초 계획했던 시설투자비 7조원에서 37% 늘린 것이며, 지난해 6조 2,900억원에 비해서는 53%나 확대된 규모다. 늘어나는 메모리 반도체 수요에 맞춰 투자 계획을 공격적으로 수정한 것이다.

SK하이닉스는 26일 시장환경 변화에 적극적으로 대응하기 위해 올해 시설투자 계획을 변경한다고 공시했다. 이에 앞서 SK하이닉스는 25일 실적 발표 시 “공정전환만으로는 수요 충족이 어려워 생산량 확대를 검토하고 있다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 설비투자비를 확대해 청주와 중국 우시 반도체 공장 클린룸을 계획보다 앞당긴 내년 4·4분기까지 구축한다는 계획이다. 클린룸 구축을 앞당겨 생산공간을 빨리 확보하게 된다면 변화하는 시장 환경에 효과적으로 대응할 수 있다. 청주는 낸드, 우시는 D램 보완투자를 겨냥한 것이다.



SK하이닉스가 설비 투자 규모를 크게 늘린 것은 기존의 투자 규모와 공정 전환만으로는 빅데이터, 자율주행자동차, 인공지능(AI) 등의 메모리 반도체 수요를 충족하기 어렵다는 판단에 따른 것으로 분석된다.

최근 메모리 반도체 업계는 기술 개발과 생산 난도가 높아져 대규모 투자가 수반되지 않을 경우 생산량이 줄어들 수밖에 없고, 이에 따라 업체들은 수익의 상당 부분을 시설투자에 투입하고 있으나 급증하는 수요를 감당하지 못하고 있다. SK하이닉스는 지난 2·4분기 매출 6조 6,923억원, 영업이익 3조507억원을 올려 사상 최고 실적을 세웠다.