삼성전자가 8일(현지시간) 미국에서 공개한 새로운 규격의 솔리드스테이트드라이브(SSD)인 ‘NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD’ 모습./사진제공=삼성전자삼성전자가 세계 최대 용량의 V낸드 플래시 메모리와 차세대 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품군을 공개했다.
삼성전자는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2017’에서 3차원 셀(cell)의 용량을 기존 512기가비트(Gb)보다 2배 늘린 1테라비트(Tb) 낸드를 공개했다. 플래시 메모리 서밋은 미국에서 매년 열리는 세계 최대 플래시 메모리 업계 컨퍼런스다.
삼성전자가 이날 공개한 1Tb 낸드는 셀을 16단으로 쌓아 올려 하나의 단품 패키지로 2테라바이트(TB)를 만들 수 있어, SSD의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다. 삼성전자는 1Tb V낸드가 적용된 최대 용량 SSD를 내년 출시할 계획이다.
삼성전자는 이날 서버 시스템 내 저장장치의 공간 활용도를 극대화할 수 있는 신규 SSD 규격도 발표했다. 새로운 SSD 규격인 ‘NGSFF SSD’를 활용하면 같은 시스템 공간 기준으로 저장 공간을 4배까지 키울 수 있다. 삼성전자는 16TG ‘NGSFF SSD’ 36개를 탑재한 576TB의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개하고, 2U 시스템으로 1PB페타바이트(PB)의 스토리지 시스템을 구현할 수 있게 됐다고 소개했다.
삼성전자는 이밖에 응답속도를 최대 12배 향상시킨 하이엔드 SSD와 비정형 데이터 저장에 특화된 신개념 SSD인 ‘Key Value SSD’도 공개했다.
진교영 삼성전자 메모리사업부장은 “지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 고객 가치를 극대화 하고, 향후 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응하겠다”고 밝혔다.
