삼성전자가 연내 경기도 화성에 신규 반도체 생산라인을 착공하는 방안을 추진한다. 총 6조원 규모로 단행되는 투자의 조기 추진을 통해 삼성은 반도체 사업에서 주도권을 이어간다는 복안이다.
18일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 미세공정 경쟁력 강화를 위해 경기도 화성사업장에 극자외선 노광장비(EUV)가 구축된 신규 반도체 생산라인을 연내 착공하기로 했다. 이를 위해 황득규 삼성전자 평택캠퍼스 단지장(부사장)이 최근 채인석 화성시장을 만나 신규 라인 구축을 위한 조속한 인허가 지원을 요청한 것으로 알려졌다. 연내 착공에 들어가면 오는 2019년 하반기께 본격적인 제품 양산이 가능할 것으로 전망된다. EUV는 파장이 짧은 극자외선을 이용해 반도체 원판인 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 장비로 삼성전자의 경우 7나노(nm·10억분의1m) 이하 미세공정에 필요한 핵심 장비다.
삼성전자의 한 관계자는 “화성사업장 17라인 옆 임시 주차장 부지를 활용해 가능하면 이른 시일 내 반도체 생산라인을 착공하는 방안을 모색하고 있다”고 말했다.
이번 투자는 메모리 반도체 호황 사이클에 올라타 역대 최대 실적을 갈아치우고 있는 반도체 사업에서 다른 경쟁 업체를 따돌리려는 의지가 반영된 것으로 해석된다.
앞서 삼성전자는 지난달 4일 총 6조원을 투입해 EUV가 구축된 신규 반도체 생산라인을 화성에 건설하겠다고 밝힌 바 있다. EUV는 대당 가격이 2,000억원에 이르는 고가 장비로 7나노 이하 미세공정에 반드시 필요하다.
업계에서는 삼성전자가 EUV를 활용한 7나노 이하 미세공정을 통해 파운드리 사업 경쟁력을 획기적으로 끌어올리려는 전략으로 보고 있다. 삼성전자는 올해 시스템 LSI 사업부에 속해 있던 파운드리 사업팀을 파운드리 사업부로 독립, 승격시켜 힘을 실었다. 업계 관계자는 “향후 7나노 이하 미세공정에 필요한 EUV를 확보해 시장 상황에 선제 대응하려는 전략으로 보인다”고 말했다.
