삼성전자 중국 시안 반도체공장 전경./사진제공=삼성전자삼성전자(005930)가 2019년까지 70억달러(한화 약 7조5,000억원)를 투자해 중국 시안(西安)에 낸드플래시 반도체 2기 라인을 건설한다. 증가하는 메모리 반도체 수요에 대응해 글로벌 1위 지위를 확고히 다진다는 전략이다.
삼성전자는 28일 중국 산시성 시안에서 3D V낸드 2라인 기공식을 가졌다. 기공식에는 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 김기남 삼성전자 DS부문장(사장) 등이 참석했다. 삼성전자의 시안 공장 라인 증설 투자는 지난 2012년 1라인 착공에 이어 5년 6개월 만이다. 김기남 사장은 기공식에서 “2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여 하겠다“고 강조했다.
삼성전자는 2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, 정보기술(IT) 업체들의 생산기지가 집중돼 있는 중국 시장 요구에 적기 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
