백운규 산업통상자원부 장관은 30일 SK하이닉스 이천공장과 삼성전자 평택공장을 찾아 이 같은 반도체 분야 투자계획을 밝혔다. 백 장관은 “앞으로도 우리나라가 세계 1위 반도체 강국의 위상을 지켜낼 수 있도록 3가지 전략을 중심으로 반도체 산업의 발전을 지원하겠다”며 “독보적 경쟁력을 갖춘 메모리반도체 분야 세계 1위 수성을 위해 미세화 한계에 도달한 D램·낸드 등 기존 메모리반도체를 대체하는 차세대 소자와 소재를 개발하겠다”고 말했다. 그는 이어 “4차 산업혁명 시대의 새로운 성장동력으로 시스템반도체를 육성하고 팹리스 시스템온칩(SoC) 설계와 파운드리 기업의 제조공정 연계강화를 통해 팹리스와 파운드리 산업이 함께 발전하도록 하겠다”고 덧붙였다.
이와 관련해 산업부는 과학기술정보통신부와 함께 앞으로 10년간 1조5,000억원을 투자하는 ‘차세대 지능형 반도체 기술개발 사업’을 추진하고 있다. 다음달 8일 예비타당성 조사를 신청한다. 백 장관은 또 글로벌 반도체 제조 허브 전략을 소개했다. 그는 “31일 창업부터 성장까지 전 주기를 지원하는 ‘시스템반도체 설계지원센터’를 개소한다”며 “마지막으로 글로벌 반도체 소재·장비 기업의 생산라인 국내 유치 확대 등을 통해 글로벌 반도체 제조 허브 국가화를 추진하겠다”고 말했다. 산업부는 미국의 에어프로덕트, 네덜란드 ASML, 미국 AMAT, 일본 TEL 등 세계 유명 반도체 소재·장비 기업을 국내에 유치하기 위해 투자유치 지원제도를 개편하고 입지·환경 규제개혁을 추진할 계획이다.
