산업 기업

"초격차 기술로 반도체 1위 도약"…JY 강한 자신감

■삼성 3나노 기술개발 성공

새해 첫날부터 반도체 현장 찾아

사장단과 차세대 기술전략 논의

"과거 실적이 미래 성공 보장안해

잘못된 관행 버리고 새미래 개척"

비전2030 목표달성 의지 드러내

이재용(왼쪽) 삼성전자 부회장이 2일 화성사업장 반도체연구소를 찾아 임직원들과 인사를 나누고 있다.  /사진제공=삼성전자이재용(왼쪽) 삼성전자 부회장이 2일 화성사업장 반도체연구소를 찾아 임직원들과 인사를 나누고 있다. /사진제공=삼성전자



이재용 삼성전자 부회장이 새해 첫 경영 행보로 2일 반도체 생산기지인 화성사업장 내 반도체연구소를 찾았다. 반도체연구소는 차세대 메모리와 시스템 반도체 제품에 적용할 선행 공정을 개발하고 공정 미세화 한계 극복을 위한 신소재·신설비 연구를 진행하는 삼성전자 반도체 사업의 ‘두뇌’와 같은 곳이다. 이 부회장이 반도체 개발 현장에서 새해 첫 업무를 시작한 것은 메모리에 이어 시스템 반도체 분야에서도 세계 1위가 되겠다는 ‘반도체 비전 2030’을 다시 한번 임직원과 공유하며 목표 달성의 의지를 다지는 포석으로 풀이된다. ★본지 1월2일자 3·4·5면 참조

이 부회장은 이날 대한상공회의소에서 문재인 대통령과 국회의장, 정당 대표, 대법원장 등이 참석한 가운데 열린 ‘2020년 경자년 신년회’에 참석한 뒤 바로 화성사업장 반도체연구소로 이동했다.

반도체연구소에서 이 부회장은 김기남 부회장, 정은승 사장, 진교영 사장, 강인엽 사장, 강호규 반도체연구소장 등 디바이스솔루션(DS) 부문 사장단과 미래 반도체 기술에 대한 전략을 논의했다. 이 자리에서는 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 반도체 공정기술을 집중적으로 논의한 것으로 알려졌다.


극자외선(EUV)을 적용한 3나노 기술은 삼성전자가 반도체 시장에서 초격차를 유지하는 데 핵심적 역할을 할 신기술이다. 3나노 반도체에는 반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 ‘게이트올어라운드(GAA)’와 EUV 공정기술이 적용됐다. 5나노 제품 대비 반도체 칩 면적과 소비전력을 줄이면서 처리속도는 크게 높인 게 특징이다.

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특히 삼성전자는 이번 3나노 공정기술 개발로 초미세화 경쟁에서 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 1위 업체인 TSMC를 추월할 발판을 마련했다는 평가를 받는다. 이 부회장이 이날 “역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것”이라고 강조한 것도 3나노 기술을 앞세워 메모리와 시스템 반도체를 아우르는 세계 1위의 반도체 기업으로 도약하겠다는 강한 자신감을 나타낸 것으로 풀이된다.

삼성전자는 지난해 4월 세계 최초로 EUV를 적용한 7나노 반도체 제품 양산에 들어가며 미세공정 기술에서 초격차를 유지하고 있다. 현재 전 세계 반도체 업체 가운데 7나노 이하 제품을 양산하는 곳은 삼성전자와 대만의 TSMC 두 곳밖에 없다. 삼성전자는 올해 5나노 제품 양산에 들어가고 이번에 개발한 3나노 제품 양산은 오는 2022년부터 시작할 것으로 예상된다. TSMC 역시 2022년께 3나노 제품 양산에 나설 계획이지만 아직 3나노 공정기술 개발 여부를 공개적으로 밝히지는 않은 상태다.

한편 이 부회장이 이날 “이웃·사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자”고 강조함에 따라 새해에도 상생과 동반성장을 위한 삼성의 움직임에 속도가 붙을 것으로 보인다. 앞서 이 부회장은 지난해 11월 이병철 삼성 창업주 32기 추도식에서 사장단에 “선대 회장의 사업보국 이념을 기려 우리 사회와 나라에 보탬이 되도록 하자”고 당부하기도 했다.


이재용 기자
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