삼성전자 화성 파운드리.전경. /사진 제공=삼성전자삼성전자가 8나노(㎚) 기반 무선주파수(RF) 칩 파운드리 공정을 시작한다. 본격적으로 늘어나는 5세대(G) 통신용 반도체 수요에 대응해 전력 효율성은 높이고 면적을 줄이는 공정을 개발한 것이다. 삼성전자는 이를 통해 오는 2030년 시스템 반도체 1위 목표 달성에 박차를 가한다는 전략이다.
삼성전자는 9일 5G 통신용 RF 칩을 ‘원칩 솔루션’으로 제공하는 8나노 파운드리 공정 서비스를 시작한다고 밝혔다. 이 공정으로 만든 칩은 멀티채널·멀티안테나를 지원한다. 삼성전자는 서브 6㎓에서 밀리미터파(㎜Wave)까지 5G 통신 시대에 필요한 고성능 통신 반도체 생산에 적극적으로 나설 예정이다.
RF 칩은 통신을 맡는 모뎀 칩에서 나오는 디지털신호를 아날로그로 변환해 우리가 사용할 수 있는 무선주파수로 바꾸거나 이 신호를 다시 모뎀 칩으로 보내는 역할을 한다.
삼성전자는 지난 2015년부터 28나노 12인치 RF 공정 파운드리 서비스를 시작했다. 2017년 업계에서 최초로 본격 양산을 시작한 14나노를 포함해 8나노까지 RF 파운드리 솔루션을 확대했다. 삼성전자는 2017년부터 지금까지 프리미엄 스마트폰을 중심으로 5억 개 이상의 모바일 RF 칩을 출하했다.
이번에 개발한 삼성전자 8나노 RF 공정은 성능 향상과 면적 감소를 동시에 구현했다. 기존 14나노 공정보다 전력 효율은 약 35% 향상하면서 칩 면적은 35% 줄였다.
삼성전자는 적은 전력을 사용하면서도 신호를 크게 증폭할 수 있는 RF 전용 반도체 소자 ‘RFeFET’를 개발해 이번 공정에 적용했다. 특히 RFeFET의 전자가 흐르는 통로인 채널 주변부에 특정 소재를 적용하면서 전자이동 특성을 극대화했다.
이형진 삼성전자 파운드리사업부 마스터는 “공정 미세화와 RF 성능 향상을 동시에 구현한 삼성전자 8나노 기반 RF 파운드리는 소형·저전력·고품질 통신의 장점을 갖췄다”며 “최첨단 RF 파운드리 경쟁력을 바탕으로 차세대 무선통신 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.
/강해령 hr@sedaily.com
