글로벌 파운드리(반도체 위탁 생산) 경쟁이 치열해지는 가운데 미국 신규 팹 투자가 예상보다 늦어진 삼성전자가 평택 파운드리 라인 구축 속도전에 돌입했다. 대만 TSMC, 미국의 인텔 등 경쟁사가 일찌감치 미국에 파운드리 팹 건설에 착수한 가운데 오는 2023~2024년께 이들 업체와의 ‘체급 경쟁’에서 밀리지 않기 위해 세계 최대 규모의 평택 라인 구축을 서두르는 것으로 보인다.
18일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 신규 파운드리 팹 후보지를 놓고 고민을 거듭하고 있다.김기남 삼성전자 부회장은 지난 5월 말 미국에서 열린 한미정상회담에서 170억 달러(약 20조 원)를 조만간 현지에 투자할 것이라고 밝혔으나 후보지 선정은 여전히 안갯속이다.
당초 기존 공장이 있는 오스틴 팹 유휴 부지에 신규 팹이 증설될 것이라는 관측이 유력했으나 최근 오스틴 지역과 약 60㎞ 떨어진 테일러시도 새로운 후보지로 떠오르고 있다. 외신 등에 따르면 삼성전자는 테일러 독립교육구(ISD)에 세제 혜택을 신청하면서 공개된 문서에서 텍사스주 외에 애리조나 인근 굿이어와 퀸크리크 지역, 뉴욕의 제네시카운티 등도 후보지로 언급했다. 아울러 삼성전자는 테일러시에 신규 팹을 지을 경우 착공은 내년 1분기가 될 것으로 적시했다. 업계에서는 삼성전자가 올 상반기 내 투자를 결정해 이르면 3분기 착공을 시작할 것으로 봤지만 예상보다 상당 기간 미국 현지 투자가 지연되는 것이다.
삼성전자의 이 같은 움직임은 경쟁사인 인텔·TSMC와는 다소 차별화된다. 당장 글로벌 파운드리업계 1위인 TSMC의 경우 애리조나주에 120억 달러를 투자, 2024년 가동을 목표로 하는 5나노 파운드리 팹 착공에 일찌감치 나선 상황이다.
업계에서는 삼성전자의 신중한 행보가 평택3공장(P3) 구축과도 연계돼 있을 것으로 보고 있다. P3가 조기에 안정적으로 가동될 경우 미국 공장 투자 지연으로 발생할 수 있는 문제를 최소화할 수 있기 때문이다. 업계의 한 관계자는 “세계 최대 규모 평택 P3가 안정적으로 조기 가동된다고 가정한다면 미국 팹의 경우 최대한 혜택을 받는 쪽으로 협상을 진행할 수 있지 않겠느냐”고 밝혔다.
현재 외관 공사를 한창 진행하고 있는 P3는 12인치 웨이퍼 기준 월 30만 장(300K)의 반도체를 생산할 수 있는 초대형 반도체 공장으로 점쳐진다. 이곳에서 삼성전자는 최첨단 D램을 비롯해 5나노 이하 파운드리 라인을 구축하면서 대형 고객사 물량을 수주할 것으로 예상된다. 삼성전자는 이미 P3 외관 공사 완료 직후 파운드리용 장비를 들이기 위해 협력사와 논의하고 있는 것으로 알려졌다. 내년 2분기 장비 반입, 하반기 가동이 예상된다.
아울러 평택2공장(P2) 5나노 파운드리 라인도 양산 준비에 한창이다. 12인치 웨이퍼 기준 월 4만 장 규모의 이 공장은 하반기 본격 양산을 앞두고 ‘파일럿 라인’을 이미 가동한 것으로 전해졌다. 다만 삼성전자가 TSMC를 추격하기 위해서는 결국 생산성이 관건이라는 진단이 나온다. 업계 관계자는 “TSMC와의 경쟁에서 유리한 고지를 점하려면 비용 절감이 우선”이라며 “5나노 공정 수율 향상을 위한 연구개발(R&D) 투자에 박차를 가해야 한다”고 말했다.
