삼성전자(005930)가 세계 최고 용량 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드(사진) 양산을 시작했다. 고용량 낸드플래시 원가 경쟁력을 확보해 메모리 불황기에도 업계 1위 자리를 수성한다는 계획이다.
7일 삼성전자는 지난해 하반기 7세대(176단) 낸드 양산에 들어간 지 1년 만에 8세대 V낸드를 양산한다고 밝혔다. 이날 발표한 1Tb 트리플 레벨 셀(TLC·1개 셀에 3개 비트 저장) 8세대 V낸드는 단위 면적당 저장되는 데이터(비트 밀도)가 업계 최고 수준인 고용량 제품이다. 삼성전자 관계자는 “웨이퍼당 데이터 집적도가 이전 세대보다 대폭 향상됐다”고 밝혔다.
신제품에는 최신 낸드플래시 인터페이스 ‘토글 DDR 5.0’을 적용했다. 이에 따라 7세대 낸드보다 약 1.2배 빠른 최대 2.4Gbps(초당 기가비트)의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 아울러 고속 입출력 인터페이스(PCIe) 4.0을 지원한다. 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “V낸드의 단수 증가 요구에 맞춰 셀 평면적과 높이를 모두 감소시키고 이에 따라 나타나는 간섭 현상을 제어할 기반 기술도 확보했다”고 설명했다.
최근 반도체 업계에서는 낸드 저장 공간 단수 쌓기 경쟁이 치열하다. 앞서 미국 마이크론 테크놀러지가 232단, SK하이닉스가 238단 낸드플래시 개발을 각각 발표하면서 업계 1위 삼성전자 기술력을 추격하고 있다. 삼성전자가 생산한 기존 7세대 V낸드는 176단이다. 회사 측은 이번 8세대 V낸드의 단수를 공개하지는 않았지만 업계에서는 이번에 230단 이상 낸드를 구현한 것으로 알려졌다.
삼성전자는 8세대 V낸드를 회사의 최신 공장인 평택 3라인에서 만든다. 정보기술(IT) 기기 수요 둔화로 메모리 반도체 시장 규모가 위축되는 가운데 삼성전자가 원가 경쟁력과 규모의 경제 등을 앞세워 1위 자리를 공고히 지켜낼 수 있을지가 주목된다. 한진만 삼성전자 부사장은 지난달 27일 열린 3분기 실적발표회에서 “낸드플래시 업계에서 압도적 원가 구조를 갖고 있다”며 “이것은 강력한 장점”이라고 자신감을 내비쳤다.
삼성전자는 지난달 초 미국 실리콘밸리 ‘삼성 테크 데이’에서 올해 8세대 V낸드 생산에 이어 2024년에 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 발표했다. 또 2030년까지 데이터 저장 장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다는 목표도 밝혔다.
