2차원 몰리브덴 이황화물 합성 공정을 개선해 결정 입자 사이의 경계를 획기적으로 줄이는 대면적 단결정 합성법을 개발한 광주과학기술원 임현섭 교수(가운데) 연구팀. 사진 제공=광주과학기술원광주과학기술원 연구진이 1㎜(나노미터)보다 얇은 두께의 2차원 반도체 물질의 합성법을 개발해 실리콘을 뛰어넘는 차세대 반도체 소재로 활용할 수 있는 가능성을 확인했다.
광주과학기술원은 화학과 임현섭 교수 연구팀은 2차원 몰리브덴 이황화물 합성 공정을 개선해 결정 입자 사이의 경계를 획기적으로 줄이는 대면적 단결정 합성법을 개발했다고13일 밝혔다.
기존 다결정 몰리브덴 이황화물에서 결정 입자 사이에 경계면이 존재해 전하이동도가 느렸던 단점을 해결할 수 있을 것으로 기대된다.
몰리브덴 이황화물은 꿈의 소재라 불리는 그래핀의 한계를 극복할 수 있어 차세대 2차원 나노물질로 주목받고 있지만, 단결정 합성 과정에서 결정 입자 사이의 경계로 인해 반도체 산업에 활용이 어렵고 합성 효율이 낮아 경제성이 부족했다.
연구팀은 2차원 몰리브덴 이황화물의 합성에 사용되던 기존의 고체 전구체를 무기 분자 전구체로 대체해 합성 효율을 높였고, 사파이어 기판에서 2차원 몰리브덴 이황화물을 단일층 및 단결정으로 합성할 수 있는 신기술을 개발했다.
또한 단결정 합성법의 핵심적인 기법인 ‘에피텍셜 성장’에서 그간 베일에 싸였던 사파이어 기판의 말단 작용기의 역할을 규명했다.
임현섭 광주과학기술원 교수는 “이번 연구를 통해 2차원 반도체 나노물질인 몰리브덴 이황화물을 차세대 반도체 소재로 활용하는 시점이 앞당겨질 것으로 기대한다”며 “새롭게 밝혀낸 메커니즘은 다른 2차원 나노물질들의 대면적 단결정 합성 공정 개발에도 기여할 것이다”고 말했다.
