삼성전자 평택캠퍼스. 사진제공=삼성전자삼성전자(005930)는 반도체 불황이 이어지는 가운데에서도 시설투자(CAPEX)와 연구개발(R&D)에서는 역대 최대 규모를 유지했다. 기술 초격차 전략을 유지하면서 인공지능(AI), 전장용 메모리 등 빠르게 증가하고 있는 차세대 제품 수요에 적기 대응하기 위해서다.
삼성전자는 올해 2분기 7조 2000억 원의 R&D 투자와 14조 5000억 원 규모의 시설투자를 단행했다고 27일 밝혔다. R&D 투자는 분기 기준 역대 최대이고 시설투자 금액도 역대 세 번째 규모다.
2분기 R&D 투자 금액은 전년 동기(6조 2500억 원) 대비 15.2% 증가했는데 이는 2분기 영업이익인 6700억 원의 10배가 넘는다. 앞서 삼성전자는 1분기에도 영업이익(6400억 원)의 10배를 웃도는 6조 5800억 원을 R&D 분야에 투입했다. 삼성전자는 지난해 역대 최대 규모인 24조 9000억 원의 R&D 투자를 단행했다. 올 상반기 R&D 금액은 약 14조 원으로 올해도 R&D 투자는 최대치 경신이 유력하다.
시설투자 역시 전년 동기(12조 3000억 원) 대비 18%가량 증가했다. 삼성전자는 1분기에도 같은 분기 기준 최대 규모인 10조 7000억 원의 시설투자를 단행했다. 메모리반도체 투자가 지난해와 유사한 수준인 것을 감안하면 투자 증가액의 대부분이 파운드리(반도체 위탁 생산) 투자에 집중된 것으로 보인다.
삼성전자는 실적 등락과 관계없이 매년 R&D와 시설투자를 확대하고 있다. 지난해 말부터 글로벌 경기 침체로 인한 반도체 불황이 지속되며 반도체 업체들이 설비투자를 줄이고 있는 것과 대조된다. 메모리반도체 분야의 경쟁사인 SK하이닉스(000660)와 마이크론은 올해 시설투자를 각각 50%, 42% 감축한다고 밝힌 바 있다.
이는 녹록지 않은 상황에서도 메모리반도체 글로벌 1위를 넘어 종합 반도체 기업으로서의 위상을 강화하기 위한 전략적 포석이다. 삼성전자는 파운드리 사업에서 고객의 주문이 없어도 먼저 클린룸을 조성하는 방식의 ‘셸 퍼스트’ 전략을 통해 대만 TSMC와의 점유율 격차 좁히기에 총력을 기울이고 있다. 삼성전자는 현재 경기도 평택과 미국 테일러시에 파운드리 반도체 클린룸을 짓고 있다. 2027년 클린룸 규모는 2021년 대비 7.3배 확대될 것으로 예상된다. 메모리 사업에서도 생산량을 줄이는 것과는 별개로 데블데이터레이트(DDR)5, 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 제품의 시장 주도권을 잡기 위해서는 압도적인 기술 투자가 필수적이다.
경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 최근 “오직 투자를 통해서만 기업은 새로운 혁신을 상상할 수 있기 때문에 요즘 같은 경기 침체기에 투자는 훨씬 더 중요하다”며 “경제가 어려울 때 과감하게 혁신하는 기업이 흐름이 바뀔 때 정상에 오를 것”이라고 밝혔다.
