삼성전자[005930]는 세계 최초로 64메가비트(Mb)P램(Phase Change RAM.상변화 메모리) 기술 및 시제품 개발에 성공했다고 19일 밝혔다.
64Mb P램은 지금까지 나온 차세대 메모리 중 최대 용량으로 고집적화에 어려움이 있었던 차세대 메모리의 한계를 극복한 획기적 제품이라고 삼성전자는 설명했다.
삼성전자는 P램의 고집적화를 위해 독자기술인 `화학적 확산처리 기술'로 셀(Cell) 크기를 줄인 뒤 축소된 셀 안에서 저전력 동작이 가능하도록 해 세계 최대용량P램 제품 개발에 성공했다고 말했다.
이 제품은 기존 설비로도 제조할 수 있고 제조공정도 종전의 메모리 반도체보다단순해 원가경쟁력이 우수하며 ▲2.5V 저전압 동작 ▲쓰기속도 120나노초(ns) 및 읽기속도 60ns ▲플래시메모리 대비 1천배 이상의 내구성 ▲85℃에서 2년 이상 데이터보존 등의 특성을 갖고 있다.
삼성전자는 그동안 주요 반도체 업체들이 P램 연구작업을 벌여왔지만 아직까지기술개발 단계에 머물고 있으며 시제품 개발은 이번이 처음이라고 전했다.
이에 따라 P램, F램(Ferroelectric RAM.강유전 메모리), M램(Magnetic RAM.강자성 메모리) 등 차세대 메모리 시장에서도 선두를 지킬 수 있을 것으로 삼성전자는기대하고 있다.
삼성전자는 2002년 32Mb F램도 세계 처음으로 개발한 바 있다.
삼성전자는 제품의 신뢰성과 특성 개선작업을 벌여 오는 2006년 차세대 메모리를 상용화할 계획이다.
P램은 `게르마늄 안티몬 텔룰라이드(Ge2Sb2Te5)'라는 상(相)변화 물질이 비결정질 상태에서 결정질 상태로 변화될 때 1비트(bit)를 얻는 방식으로 동작하는 메모리로 비휘발성, 고속 고집적화가 장점인 반면 쓰기속도가 상대적으로 느린 것은 단점으로 꼽힌다.
(서울=연합뉴스) 공병설기자
