LG반도체(대표 구본준)는 차세대 256메가 및 기가 D램 양산에 적합한 「결함제어 웨이퍼」를 개발했다고 23일 밝혔다.이 제품은 질소와 산소의 혼합가스를 사용한 고온의 열처리를 통해 웨이퍼 표면의 산소원자와 불순물 등을 제거해 신뢰성 높은 고집적 소자 제조에 적합한 것이 특징이다.
이 제품은 또 웨이퍼내 균일성이 우수하고 기계적 강도가 높은데다 불순물 및 오염제거 능력이 뛰어나 웨이퍼 결함을 극소로 저하시켜 수율을 높일 수 있다고 LG는 설명했다.
이 제품은 특히 반도체 업계에서 차세대 웨이퍼 대상으로 검토되 온 「에피텍셜 웨이퍼」등에 비해 제조원가가 낮고 생산성이 높아 웨이어 제조업체들로부터 상당한 관심을 불러일으킬 것으로 전망된다고 LG는 덧붙였다.
LG가 이 제품을 개발함에 따라 가격이 비싼 에피텍셜 웨이퍼 보급 확산에 제동이 걸리고 차세대 웨이퍼 시장을 둘러싼 기술논의가 더욱 치열해 질 것으로 예상된다.
LG는 이 제품을 64메가 D램 생산라인에 적용한 후 256메가 및 12인치 웨이퍼 제조까지 확대 적용할 계획이다.
이 회사 선병돈 부사장은 『이 제품에 대한 특허를 국내는 물론 해외에 출원중이서 앞으로 적지않은 로열티 수입을 올릴 것으로 보인다』며 『특히 이 기술을 LG가 생산하는 모든 제품에 적용하면 이에 따른 수율향상 효과는 매년 1,000억원 이상이 될 것』이라고 말했다.【고진갑 기자】
