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고성능 ‘와이드 IO2 모바일 D램’ … 내년 하반기부터 본격 양산
SK하이닉스가 업계 최초로 고성능 ‘와이드 IO2 모바일 D램’을 개발하는데 성공했다고 3일 밝혔다.
이번에 개발한 와이드 IO2는 국제전기전자표준협회(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 차세대 고성능 모바일 D램의 한 종류로, 20나노미터급의 첨단 미세공정이 적용됐다.
기존 LPDDR4와 같은 1.1V 동작전압에서 저전력 특성을 강화하고 정보입출구(I/O)의 수를 대폭 늘려 데이터 처리속도를 높인 것이 특징이다.
LPDDR4는 3,200Mbps 속도로 동작해 32개의 정보입출구로 초당 12.8GB(기가바이트)의 데이터 처리가 가능한 반면 와이드 IO2는 하나의 정보입출구에서 800Mbps의 속도로 동작하지만 512개의 정보출입구로 초당 51.2GB의 데이터를 처리할 수 있다. 초당 처리 용량은 기존 LPDDR4 보다 4배 빨라 현존하는 모바일 D램 가운데 최고 성능이라고 SK하이닉스는 설명했다.
SK하이닉스는 현재 주요 SoC(System on Chip) 업체에 샘플을 공급한 상태며 내년 하반기부터 양산에 나서 고성능 모바일 D램 시장 공략을 강화한다는 계획이다. 고객사들은 와이드 IO2와 함께 SoC를 탑재해 하나의 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 시장에 최종 공급할 예정이다.
김진국 SK하이닉스 모바일개발본부장은 “와이드 IO2 제품을 통해 확대되는 고성능 모바일 D램에 대한 고객의 요구를 만족시킬 것”이라며“앞으로도 고성능·저전력 제품을 지속적으로 개발해 개발해 모바일 D램 시장의 기술 주도권을 확보해 나가겠다”고 밝혔다.
