하이닉스도 세계 첫 '44나노 1Gb DDR3 D램' 개발

극심한 불황 속에서도 국내 반도체 업계가 세계 최고 수준인 40나노(nmㆍ1nm은 10억분의 1미터)급 D램 제품을 잇따라 선보이며, 불꽃 튀는 기술경쟁을 벌이고 있다. 이 같은 경쟁덕분에 세계 다른 업체들과의 기술격차도 갈수록 벌어져 경기회복 국면에서 국내업계의 시장 장악력은 더욱 강화될 전망이다. 하이닉스반도체는 8일 세계 최초로 44나노 1Gb DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다. 하이닉스는 “새로 개발된 40나노급 DDR3 D램은 미국 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품으로 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정”이라고 덧붙였다. 하이닉스의 발표는 삼성전자가 세계 최초로 40나노급 1Gb DDR2 D램을 개발했다고 밝힌 지 불과 나흘 만이다. 하이닉스가 선보인 44나노 DDR3 D램은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상됐다. 또 ‘3차원 트랜지스터 기술’로 전력 소비를 최소화했다. 특히 이 제품이 지원하는 최대 속도는 향후 차세대 DDR3의 표준속도가 될 것으로 예상되는 2133Mbps(초당 2133Mb 데이터 처리)로 DDR2에 비해 두 배 이상 빠르다. 하이닉스는 이 제품을 올해 3ㆍ4분기부터 양산 할 예정이며 2010년부터는 DDR3 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽D램에 확대 적용할 계획이다. 40나노급 공정은 차세대 D램 제조 공정 기술로 2009년 하반기 이후 시장의 주력 제품이 될 것으로 예상되는 DDR3에 주로 적용될 것으로 전망된다. 삼성전자도 최근 DDR2 제품 개발을 발표하면서 3분기에는 DDR3 제품을 개발해 양산할 계획이라고 밝힌 바 있다. 하이닉스 관계자는 “세계 최초로 40나노급 DDR3 제품을 개발해 업계 최고 수준의 기술력을 다시 한번 확인하게 됐다”며 “향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 DDR3 시장에서 경쟁사 대비 한 세대 앞선 공정기술을 적용한 차별화 된 제품으로 시장을 선도할 수 있을 것”이라고 기대했다. 한편 1나노미터는 10억분의 1미터며 40나노미터는 머리카락의 2,500분의 1 굵기다. 하이닉스와 삼성의 40나노급 D램은 회로 사이의 간격이 40나노미터에 불과하다. 회로 간격이 좁으면 회로간 전기적 간섭효과가 발생해, 이를 방지하면서 나노를 줄이는 기법은 반도체 업계에서는 최첨단 기술력으로 통한다. 현재에도 50나노 D램을 양산하고 있는 업체는 삼성전자와 하이닉스 뿐이다. 60~70나노에 머무르고 있는 엘피다 등 다른 해외 경쟁업체들은 40나노 공정기술 개발은 엄두를 내지 못한 채 2010년 이후를 개발 시기로 잡고 있는 상태이다. 이에 따라 국내기업과 대만 등 해외 D램업체간의 기술 격차는 2년 이상으로 벌어질 것으로 보인다. 업계 관계자는 “해외 기업들이 50나노 D램 양산에 들어가더라도 양호한 수율을 확보하려면 상당한 시간이 필요해 그동안 삼성전자와 하이닉스는 미세공정 집적도를 높여 격차는 갈수록 벌어질 것”이라고 전망했다.