삼성전자가 1ㆍ4분기 50나노 공정을 적용한 16기가비트(Gb) 낸드플래시 양산에 본격 돌입한다.
삼성전자는 3일 50나노 16기가 낸드플래시의 샘플을 국내외 주요 세트업체에 공급하기 시작했다고 밝혔다. 1ㆍ4분기 양산에 들어가는 50나노 16기가 낸드플래시는 기존 제품보다 구동 속도가 빨라 MLC(셀 하나에 두개 이상의 데이터를 저장) 제품보다 쓰기 속도는 2배, 읽기 속도는 1.5배 수준으로 향상된 것이 특징이라고 삼성전자 측은 설명했다.
이 제품을 활용하면 32시간(영화 20편) 분량의 DVD급 화질 동영상이나 MP3 파일(4MB) 기준 8,000곡, 또는 200년치 분량의 일간지 정보를 저장할 수 있는 최대 32기가바이트(32GB)의 메모리카드를 제작할 수 있다.
삼성전자는 “50나노 16기가 낸드플래시의 양산은 플래시 러시(Flash Rush) 현상을 가속화하는 첫 제품”이라며 “향후 삼성전자가 미세 나노 기술을 선도하며 고용량ㆍ고성능 제품 개발에서 앞서 솔리드 스테이트 디스크(SSD) 등의 신시장 창출을 지속적으로 이끌어나갈 것”이라고 말했다.
한편 삼성전자는 50나노 16기가 낸드플래시에 이어 지난해 9월에는 집적도가 두 배 높은 40나노 32기가 낸드플래시 개발에도 성공, ‘메모리 신성장론’을 7년째 이어갔다.
