삼성전자가 ‘나노 D램시대’를 본격 개막했다.
삼성전자는 9일 최첨단 300㎜ 라인에서 90나노(1나노=10억분의 1ｍ, 머리카락 굵기의 10만분의 1) 공정을 적용한 512Mb(메가비트) DDR D램(사진)의 양산에 들어갔다고 밝혔다.
삼성전자는 치열한 반도체 기술 경쟁 속에서 종전의 0.10미크론 공정에 비해 생산성이 월등히 높은 90나노 공정을 본격 적용함으로써 강력한 원가경쟁력을 바탕으로 시장지배력을 더욱 강화해 나갈 수 있는 발판을 마련했다고 의미를 부여했다.
삼성전자는 이번에 ▦D램의 데이터 저장 특성을 개선하기 위한 고유전막 기술 ▦나노급 초미세 회로 구현을 위한 불화아르곤(ArF) 광원 등의 핵심기술 적용 ▦512Mb DDR 400㎒ㆍ512Mb DDR 333㎒ 등 90나노급 D램 양산에 처음으로 성공했다. 이 두 제품은 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다.
이 회사 관계자는 “90나노 공정은 종전 0.10미크론에 비해 생산량이 약 40%나 높아 원가경쟁력 측면에서 512Mb 이후의 대용량 D램 제품에 필수적으로 적용돼야 할 기술”이라며 “올 하반기에는 D램 시장의 주력제품이 256Mb에서 512Mb 이후의 대용량 D램으로 넘어가는 전환기가 될 것”이라고 말했다.
그는 “지난해 업계에서 처음으로 90나노 2기가 낸드플래시를 양산한데 이어 D램 제품에서도 최초로 90나도 공정을 활용함으로써 최첨단 미세 공정기술의 우수성을 다시 한번 입증했으며, 이를 계기로 차세대 나노급 D램 시장의 주도권을 확보하게 됐다”고 덧붙였다.
삼성전자는 이번 90나노 512Mb D램의 양산을 시작으로 점차 생산량은 늘려 나갈 계획이며 올 연말부터는 90나노 DDR2 제품도 양산에 들어가는 등 모든 D램 제품으로 90나노 공정을 확대해 나간다는 전략이다. 이를 통해 현재 전체의 90% 이상을 차지하고 있는 0.11미크론 이하 공정을 연말까지 95%이상으로 늘리고, 이 중 90나노의 비중을 5% 수준으로 확대할 방침이다.
시장조사기관인 데이터퀘스트는 내년에는 512Mb 제품이 130억달러에 달하는 매출액을 올리면서 대용량 D램 시장의 확실한 주력제품으로 부상할 것이라고 내다봤다.
