국내서 차세대 퓨전메모리 개발

국내 연구진이 플래시메모리와 D램이 하나의 메모리에서 작동되는 차세대 퓨전메모리(URAM) 반도체 소자를 개발했다. 이 반도체 소자가 현재 멀티칩패키지(MCP) 형태의 기존 퓨전메모리를 완전 대체할 경우 연간 20조원의 시장을 형성할 것으로 전망된다. 최양규(42ㆍ사진) KAIST 전자전산학과 교수팀과 나노종합팹센터는 14일 플래시메모리와 D램이 한 개의 메모리 트랜지스터에서 복합기능을 수행해 제작비용을 줄이고 집적도를 높인 URAM을 개발했다고 밝혔다. URAM은 기존의 DRAM과 플래시메모리 등을 차례로 쌓아 만든 MCP 형태의 퓨전메모리에 비해 개발ㆍ양산비용이 훨씬 덜 든다. MCP는 메모리반도체들을 층으로 쌓아서 면적을 줄이는 효과는 있지만 반도체마다 트랜지스터가 필요해 제작비용을 낮추는 데는 한계가 있다. 하지만 최 교수팀이 개발한 URAM은 D램과 플래시메모리의 동작전압 영역이 다른 점에 착안해 하나의 트랜지스터 몸통 안(floating body)에 D램을 구현하고 그 몸통 위에 게이트와 절연막구조(SONOS)를 결합시키는 방식으로 개발했다. 1기가 메모리를 기준으로 할 경우 최 교수팀의 URAM은 기존 반도체 설계ㆍ공정 기술을 사용할 수 있고 트랜지스터 추가 비용이 줄어들어 양산비용면에서 MCP 시스템보다 30~50% 정도 절감이 가능하다. 최 교수는 “URAM은 디지털TV는 물론 휴대폰ㆍPDAㆍ게임기 등 휴대용 정보기기 등에 대응할 수 있는 차세대 퓨전메모리”라며 “이번 개발은 반도체 메모리 분야의 원천기술과 실용성을 동시에 확보했다는 데 의의가 있고 2~3년 안에 상용화가 가능할 것”이라고 말했다. URAM 시장은 오는 2010년 150억달러, 2015년 204억달러로 커질 것으로 예상되고 있다. 김진수 나노종합팹센터 선임연구원은 “URAM은 MCP를 완전 대체할 만큼의 비용절감 효과가 뛰어난 제품”이라고 강조했다. ◇퓨전메모리=디지털 가전제품의 발달로 요구되는 다기능화ㆍ고성능화에 대응하기 위해 D램, 플래시메모리 반도체와 비메모리 반도체 등을 하나의 칩에 결합한 것이다. 고용량에다 읽기ㆍ쓰기가 자유로운 D램의 특성과 S램의 고속도, 전원이 꺼져도 저장 내용이 남는 플래시메모리의 장점을 통합적으로 갖춘 차세대 신개념 반도체다.