하이닉스, 세계 최고속 1기가비트 모바일 DDR 개발

하이닉스반도체가 66나노 기술을 적용한 세계 최고속 1기가비트 모바일 LPDDR2(사진)를 개발했다. 하이닉스는 6일 “세계 최초로 1.2V의 전압에서 업계 최고속인 800Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있는 제품”이라며 “1기가비트 이상 고용량 모바일 메모리 시장을 선도할 수 있는 획기적인 신제품으로 올해 4ㆍ4분기부터 양산할 예정”이라고 밝혔다. 회사의 한 관계자는 “지난해 세계 최고속ㆍ최소형 1기가비트 모바일 DDR 제품 개발 이후 8개월 만에 개발에 성공했다”며 “칩셋 업체와 공동으로 모바일 LPDDR2의 국제 표준화를 선도할 것”이라고 강조했다. 이번에 상용화한 LPDDR2는 66나노 초미세 공정이 적용돼 9㎜X12㎜ 크기로 경쟁력 있는 패키지가 가능하다는 게 회사 측 설명이다. 회사 관계자는 “하나의 칩에서 다양한 데이터 처리속도와 방식 지원이 가능한 ‘원 칩 솔루션’ 기능을 갖추고 있어 이를 탑재하는 기기의 사양에 맞춰 변경해 사용할 수 있다”고 말했다. 하이닉스는 올해 수익성 1위 탈환을 위해 모바일 D램을 비롯한 고부가가치 제품의 비중을 대폭 늘릴 계획이다. 특히 모바일 D램의 경우 신제품 적기 개발과 판매 강화로 현재 7% 정도인 시장점유율을 3배 가까이 확대한다는 목표를 세워놓고 있다.