차세대 메모리 소자의 핵심 원천기술이 국내 연구팀에 의해 세계 최초로 개발됐다.
산업자원부는 광주 과학기술원 황현상 교수팀이 플래시메모리의 단점을 극복할수 있는 저항변화 메모리(ReRAM.Resistance Random Access Memory) 소자의 핵심 원천기술을 개발하는 데 성공했다고 8일 밝혔다.
플래시메모리는 그동안 정보의 쓰기.지우기 시간이 느린 점, 저장용량 32Gb급이상의 제품 생산이 어려운 점 등이 단점으로 꼽혀 왔다.
황 교수팀은 데이터를 저장할 수 있는 메모리의 특성인 `0(off)'과 `1(on)' 상태를 번갈아 동작시킬 수 있는 핵심물질인 `단결정 스트론튬타이타늄옥사이드'(SrTiO3)와 이 물질의 고유 특성을 유지시키는 표면처리공정을 개발했다.
황 교수팀이 개발한 핵심물질과 공정을 사용할 경우 데이터의 저장상태가 10년이상 유지되고 1천만번 이상의 정보 쓰기.지우기 동작이 가능해 실용화 가능성이 매우 높은 것으로 평가되고 있다.
미국 IBM, 일본 샤프 등 선진국 업체들을 비롯해 삼성전자 등 국내 업체들도 관련 기술 개발을 추진 중이나 아직까지 실용화가 가능한 수준의 연구 실적은 전혀 없는 것으로 알려졌다.
산자부는 "국내 연구팀이 세계 최초로 안정화된 저항변화 물질과 공정개발에 성공함에 따라 핵심 원천기술을 선점하는 것은 물론 테라비트급 고용량 차세대 메모리상용화 시기를 최소 2-3년 정도 앞당길 것으로 예상된다"고 말했다.
황 교수팀의 연구 성과는 7일(현지시간) 미국 워싱턴에서 열린 세계 최고 권위의 반도체 소자분야 학술회의인 국제전자소자회의(IEDM)를 통해 발표됐다.
황 교수팀은 이번에 개발한 기술과 관련해 국내에 2건의 특허를 출원한 상태이며 미국, 일본 등 해외 특허 출원도 준비 중이다.
또 산자부 차세대 비휘발성 메모리사업단(단장 한양대 박재근 교수)과 연계해실용화에 필요한 집적도 관련 연구를 본격 추진할 계획이다.
