니혼게이자이신문은 28일 후지전기와 스미토모전기 등 16개 일본 전자업체와 일본 산업기술종합연구소, 쓰쿠바대학교 등 산관학 기관들이 모여 SiC소재 반도체를 개발할 '쓰쿠바 파워일렉트로닉스 공동 연구소(TPEC)'를 발족했다고 보도했다.
연구소 설비비용에만도 12억9,000만엔이 투입됐으며 기업과 대학 연구소에서 파견된 연구원 106명이 모두 11개 분야에서 SiC소재 반도체 개발에 참여했다. 첫해 연구개발비로만도 7억9,000만엔이 책정됐으며 이르면 올해 말까지 1세대 SiC반도체 개발 결과물을 내놓을 계획이다. 연구소는 오는 2020년까지 모두 3세대에 걸쳐 반도체 개발연구를 진행해 상용화할 방침이다.
신문은 개발이 순조롭게 이뤄진다면 5년 후 일본 내에서만도 700억엔 규모의 SiC반도체시장이 형성될 것으로 전망했다.
오쿠무라 TPEC 조직팀장은 "이대로 가다가는 반도체시장에서 한국과 대만 등과의 경쟁에 밀려 수렁에서 빠져나올 수 없다는 우려감이 팽배해 연구소를 설립하게 됐다"며 "선진국을 중심으로 스마트그리드(지능형 전력망)에 대한 수요가 높고 일본은 이를 구현할 수 있는 차세대 반도체인 SiC반도체 원천기술을 보유하고 있어 세계시장을 장악할 수 있을 것"이라고 말했다.
SiC소재는 다른 세라믹 재료에 비해 열전도율과 경도가 높고 내산화성ㆍ내마모성ㆍ내부식성ㆍ고온안정성 및 열충격 저항성의 특징을 갖고 있다. SiC는 현재 반도체 및 발광다이오드(LED) 공정부품 및 태양광 핵심부품으로 사용된다.
반도체 및 LED 차세대 웨이퍼(반도체 재료가 되는 얇은 원판), 스마트그리드 전력소자, 우주선 단열재 등까지 응용범위가 다양한 차세대 핵심소재다. 현재 국내에는 SiC 관련 기반기술이 전무해 일본과 독일 등으로부터 전량 수입해 사용하고 있다.
