09/17(목) 11:29
현대전자는 세계 최초로 차세대 메모리 반도체인16기가D램을 제작할 수 있는 초미세 회로형성기술을 개발했다고 17일 발표했다.
현대전자는 최근 전자빔 노광장비(회로가 그려진 마스크에 빛을 통과시켜 웨이퍼에 회로를 그리는 장비)를 이용해 반도체 회로선폭이 머리카락 두께의 1천분의 1수준인 0.09㎛급 초미세 회로형성 기술개발에 성공했다고 밝혔다.
현대전자는 이번 초미세 회로형성 기술개발로 16기가D램 개발기간을 2년정도 단축할 수 있게 됐고 4기가 D램급 이상의 차세대 메모리 제조에 필요한 핵심기술을 확보했다고 주장했다.
특히 세계적인 반도체업체들이 전자빔 노광장비를 이용한 차세대 반도체 공정을집중적으로 연구하고 있으나 제품개발에 직접 적용할 수 있는 0.09㎛급 회로기술 개발은 자사가 처음이라고 현대전자는 밝혔다.
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