김기남 삼성전자 종합기술원 원장은 6일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 ‘2010 IEDM(반도체학회)’에서 기조연설을 통해 실리콘 기술이 지속적으로 발전할 것이라고 전망했다.
김 원장은 ‘미래 실리콘 기술 전망: 도전과 기회’를 주제로 한 연설에서 “DRAM, 플래시메모리, 로직 디바이스 등 실리콘 기술이 여러 도전들에 직면해 있는 것은 사실이지만 10 나노미터 이하로 계속 발전해 가는데 한계는 없을 것”이라고 밝혔다.
그는 “스마트 디바이스의 등장으로 오는 2020년에는 지금의 60배 이상에 달하는 컴퓨팅 파워와 저장 용량이 요구될 전망”이라면서 “이를 충족시키기 위해 저전력, 고용량, 고집적도의 실리콘 기술은 앞으로 더욱 발전할 것”이라고 말했다.
또 “실리콘 기술의 한계는 신공정ㆍ신구조ㆍ신물질을 통해 극복될 수 있을 것이며 실제로 새로운 구조를 적용한 3D NAND, 새로운 물질을 도입한 ReRAM 등 차세대 실리콘 기술이 대표적 사례”라고 밝혔다.
특히 ‘3D IC’는 현재 기술 노드 수준에서도 실행 가능한 고집적ㆍ고용량 솔루션이 될 것이라고 강조했다.
김 원장은 또 “실리콘 기술과 화합물 반도체, 광기술 등이 융합된 새로운 기술이 부상하게 될 것”이라면서 “바이오헬스, 에너지, 자동차, 로봇 등 여러 분야에 융합기술이 적용되어 미래 실리콘 산업의 새로운 성장엔진이 될 수 있을 것”이라고 밝혔다.
