하이닉스반도체, 중국 생산기지 마련의 숙원 풀었다...낸드플레시에선 삼성전자 따라잡는다
하이닉스반도체가 숙원 사업인 중국 반도체공장을 착공, 한국과 중국ㆍ미국을 잇는 글로벌 생산체제를 구축하게 됐다. 또 고부가상품인 낸드플레시메모리 생산비중을 연내 매출의 25%수준(현재 8%선)까지 끌어올려 삼성전자에 이은 낸드플레시 강자로 거듭난다.
하이닉스반도체는 28일 중국 장쑤(江蘇)성 우시(舞錫)시에서 우의제 사장과 합작파트너 ST마이크로의 마리오 리키아델로 부사장 등 주요 인사들이 참석한 가운데 양사간 합작생산법인인 ‘하이닉스-ST 반도체 유한공사’(이하 하이닉스-ST)의 기공식을 열였다.
하이닉스-ST는 총 16만평 규모의 부지에 8인치(200mm) 웨이퍼 생산라인 1개와 12인치(300mm) 웨이퍼 생산라인 3개 등 총 4개 생산라인을 갖추게 되며 D램을 주력생산품으로 제조하게 된다. 회사측은 4개 라인중 8인치 라인 1개를 내년 중반에 조기 가동시키고, 12인치 라인중 1개 라인도 2006년 후반기까지는 가동시키겠다는 계획이다.
하이닉스와 ST마이크로는 이를 위해 총 40억 달러를 투자하기로 했으며 이중 각각 20억 달러와 10억 달러는 직접 투자하고, 나머지 10억 달러는 중국 금융기관들로부터 신디케이트론의 형식으로 조달하기로 했다.
우 사장은 이날 축사를 통해 “중국 공장 착공으로 한국(이천ㆍ청주공장)과 미국(유진 공장), 중국을 잇는 글로벌 생산체제를 구축하게 됐다”며 “이로써 (미국 등으로부터의) 상계관세 부과 등 통상문제를 원천적으로 해결할 수 있게 됐다”고 밝혔다.
업계 고위관계자는 “하이닉스가 연내에 낸드플래시메모리 생산비중을 깜짝 놀랄 만큼 높일 것”이라며 “매출 대비 낸드플래시 생산비중을 4분의 1수준까지 끌어올릴 것”이라고 밝혔다. 이에 따라 하이닉스는 국내 공장은 물론 향후 가동될 중국 공장에서도 낸드플래시 생산 확대에 박차를 가할 전망이다.
