하이닉스반도체가 초고속ㆍ초대용량 메모리반도체인 1기가 DDR2 D램 을 세계 최초로 개발했다.
하이닉스는 0.11미크론(1미크론=100만분의1미터)의 초미세 회로선폭 기술을 적용한 1기가 DDR2 D램 개발에 성공, 내년초 양산을 시작할 계획이라고 11일 밝혔다.
DDR2 D램은 데이터 처리속도가 533MHz이상인 제품으로 현재의 주력 D램제품인 DDR266보다 2배이상 빠르다.
하이닉스 한광마 부장은 “이번 1기가 DDR2 D램 개발로 하이닉스는 초고속제품에서 앞선 기술력을 다시 한번 확인했다”고 의미를 부여하면서, “우수한 기술 및 원가 경쟁력을 바탕으로 초고속 메모리 시장에서 주도적 역할을 해 나갈 계획”이라고 밝혔다. 한 부장은 또 “내년초 인텔이 DDR2를 지원하는 칩셋(Chipset)을 출시하게 되면 데이터 처리속도가 533MHz이상인 D램 제품이 주력으로 떠오를 것”이라며 “고성능 서버와 워크스테이션은 물론 일반 PC용으로도 DDR2의 수요가 크게 늘어날 것으로 기대된다”고 말했다.
<문성진기자 hnsj@sed.co.kr>
